[發明專利]低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

在審

• 申請號: 201810938323.3
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN108726891A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 黃亮;萬軍鵬;譚軍毅;林彬
• 申請（專利權）人: 北京漢能光伏投資有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 北京智晨知識產權代理有限公司 11584
• 代理人: 張婧

1.一種低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基底以及位于所述玻璃基底至少一個表面的膜堆，所述膜堆包括n組層疊的膜系、和位于所述n組膜系的最外層膜上的Si₃N₄膜；所述每組膜系從靠近所述玻璃基底向遠離所述玻璃基底的方向依次包括：SiO₂層，SiON_x層，Si₃N₄層，SiON_x層，SiO₂層，和SiON_x層。

2.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，n為11～43。

3.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述n組膜系中，每層SiO₂的厚度為每層SiON_x的厚度為每層Si₃N₄的厚度為位于所述n組膜系的最外層膜上的Si₃N₄膜的厚度為

4.根據權利要求3所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述膜堆的總厚度為15～21μm。

5.一種低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括：

(1)在玻璃基底的至少一個表面，依次疊層鍍制SiO₂膜、SiON_x膜、Si₃N₄膜、SiON_x膜、SiO₂膜和SiON_x膜；

(2)重復步驟(1)n次，在所述玻璃基底的至少一個表面鍍制得到n組層疊的膜系，每組所述膜系從靠近所述玻璃基底向遠離所述玻璃基底的方向依次包括：SiO₂層，SiON_x層，Si₃N₄層，SiON_x層，SiO₂層，SiON_x層；

(3)在所述n組膜系的最外層膜表面，鍍制Si₃N₄膜。

6.根據權利要求5所述的低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，采用真空磁控濺射法鍍制所述SiO₂膜、SiON_x膜和Si₃N₄膜。

7.根據權利要求6所述的低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，

所述SiO₂膜的鍍制包括，在真空度3.0×10^-1～4.5×10^-1Pa、溫度250～340℃條件下，向真空磁控連續鍍膜機內通入O₂和Ar，O₂流量為100～130Sccm、Ar流量為200～220Sccm；Si靶的Si濺射功率為8000～15000W；

所述SiON_x膜的鍍制包括，在真空度3.0×10^-1～4.5×10^-1Pa、溫度300～420℃條件下，向真空磁控連續鍍膜機內通入O₂、Ar和N₂，O₂流量為100～130Sccm、Ar流量為200～220Sccm、N₂流量為90～180Sccm；Si靶的Si濺射功率為8000W～15000W；

所述Si₃N₄膜的鍍制包括，在真空度3.0×10-1～4.5×10-1Pa、溫度300～420℃條件下，向真空磁控連續鍍膜機內通入N₂和Ar，N₂流量為100～150Sccm、Ar流量為200～220Sccm；Si靶的Si濺射功率為8000W～15000W。