[發明專利]一種自舉電路

在審

• 申請號: 201810938266.9
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN108768142A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 郭曉鋒;耿瑋生
• 申請（專利權）人: 廣州金升陽科技有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種自舉電路，應用于NMOS管MNHS的驅動，NMOS管MNHS的驅動電路供電電壓為BS，NMOS管MNHS的源極輸出電壓為SW，自舉電路包括：線性穩壓器、二極管D1和自舉電容C1，線性穩壓器的輸入端用于輸入供電電壓VIN，線性穩壓器的輸出端連接二極管D1的陽極，二極管D1的陰極用于為NMOS管MNHS的驅動電路提供供電電壓BS，二極管D1的陰極還連接電容C1的一端，電容C1的另一端用于連接NMOS管的源極，其特征在于：還增加了欠壓保護電路和下拉電路；

欠壓保護電路檢測電壓BS和電壓SW之間的電壓差，當該電壓差低于設定值時，欠壓保護電路輸出高電平至下拉電路；

下拉電路受欠壓保護電路輸入高電平的上升沿觸發會下拉電壓SW，使之持續變為低電平一段固定時間，而線性穩壓器便會在此段時間內給自舉電容C1充電。

2.根據權利要求1所述的自舉電路，其特征在于：欠壓保護電路包括：V/I轉換、比較器和電阻R1，V/I轉換的兩個輸入端分別用于輸入電壓BS和電壓SW，V/I轉換的輸出端同時連接電阻R1的一端和比較器的反向輸入端，電阻R1的另一端接地，比較器的同向輸入端用于輸入設定值，比較器的輸出端為欠壓保護電路的輸出端。

3.根據權利要求2所述的自舉電路，其特征在于：欠壓保護電路還包括：電阻R2和開關管MN2，電阻R2一端連接電阻R1的另一端，電阻R2的另一端接地，開關管MN2的漏極連接電阻R2的一端，開關管MN2的源極連接電阻R2的另一端，開關管MN2的柵極連接比較器的輸出端。

4.根據權利要求2所述的自舉電路，其特征在于：V/I轉換包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2、高壓NMOS管MN1、電阻R3和電容C2，PMOS管MP1的源極為V/I轉換的第一輸入端，PMOS管MP1的漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端為V/I轉換的第二輸入端，PMOS管MP2的源極同時與PMOS管MP1的源極和電容的一端連接，PMOS管MP2的柵極同時與PMOS管MP1的柵極、電容的另一端及PMOS管MP1的漏極連接，PMOS管MP2的的漏極連接高壓NMOS管MN1的漏極，高壓NMOS管MN1的柵極連接電阻R3的另一端，高壓NMOS管MN1的源極為V/I轉換的輸出端。

5.根據權利要求2所述的自舉電路，其特征在于：比較器的同向輸入端輸入的設定值由零溫度電流和電阻R4產生，零溫度電流的輸出端同時連接比較器的同向輸入端和電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地。

6.根據權利要求2所述的自舉電路，其特征在于：欠壓保護電路還包括電阻R5和電容C3，電阻R5連接于V/I轉換的輸出端和比較器的反向輸入端之間，電容C3的一端連接較器的反向輸入端，電容C3的另一端接地。

7.根據權利要求1所述的自舉電路，其特征在于：下拉電路包括：固定延時電路、NMOS管MNPD和限流電阻RPD；固定延時電路的輸入端連接欠壓保護電路的輸出端，NMOS管MNPD的柵極連接固定延時電路的輸出端，NMOS管MNPD的源極接地，NMOS管MNPD的漏極與電阻RPD的一端相連，電阻RPD的另一端用于連接NMOS管MNHS的源極；固定延時電路用于將欠壓保護電路輸入高電平的上升沿轉換為固定時間的高脈沖，該高脈沖控制NMOS管MNPD導通，將電壓SW下拉為低電平。

8.根據權利要求1所述的自舉電路，其特征在于：還包括欠壓保護使能，欠壓保護使能輸出欠壓保護電路的使能信號，只有欠壓保護電路輸出信號為高電平時，欠壓保護電路才能正常工作。

9.根據權利要求1所述的自舉電路，其特征在于：還包括占空比檢測、輕載檢測和或非門X1；

占空比檢測用來檢測開關電源的開關信號占空比，當占空比大于設定值時輸出高電平；輕載檢測用來檢測開關電源的負載，當負載小于設定值時輸出高電平；

占空比檢測的輸出信號和輕載檢測的輸出信號通過或非門X1運算得到欠壓保護電路的使能信號。