[發(fā)明專利]用于太陽電池制造的7腔體臥式HWCVD-PVD一體化設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810938147.3 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN110835725A | 公開（公告）日： | 2020-02-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超 | 申請（專利權(quán)）人： | 中智（泰興）電力科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務(wù)所 32207 | 代理人： | 張斌 |
| 地址： | 225400 江蘇省泰州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 太陽電池 制造 臥式 hwcvd pvd 一體化 設(shè)備 | ||
1.一種用于太陽電池制造的7腔體臥式HWCVD-PVD一體化設(shè)備，其特征在于：包括預(yù)加熱上料腔體、本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、第一TCO薄膜沉積PVD腔體、第二TCO薄膜沉積PVD腔體、第三TCO薄膜沉積PVD腔體和下料腔體，上述各腔體之間通過真空鎖依次連接，預(yù)加熱上料腔體進(jìn)料口和下料腔體的出料口同樣設(shè)置真空鎖，一移動裝置由前至后穿接各腔體和真空鎖，本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、第一TCO薄膜沉積PVD腔體、第二TCO薄膜沉積PVD腔體、第三TCO薄膜沉積PVD腔體均為臥式結(jié)構(gòu)，預(yù)加熱上料腔體內(nèi)設(shè)臥式載板，臥式載板設(shè)置于移動裝置上呈在本一體化設(shè)備中由前至后可移動狀態(tài)，第二TCO薄膜沉積PVD腔體內(nèi)設(shè)濺射靶，上述各個(gè)腔體外接超純氣路系統(tǒng)和/或加熱系統(tǒng)和/或冷卻水系統(tǒng)和/或抽真空系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽電池制造的7腔體臥式HWCVD-PVD一體化設(shè)備，其特征在于：所述移動裝置為推料進(jìn)給軌道或移動軌道或移動掛架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽電池制造的7腔體臥式HWCVD-PVD一體化設(shè)備，其特征在于：下料腔體外接氮?dú)饣驖崈艨諝庀到y(tǒng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中智（泰興）電力科技有限公司，未經(jīng)中智（泰興）電力科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810938147.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
