[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810937666.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN110060935B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡柏豪;莊博堯;鄭心圃;翁得期
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明的實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件和制造方法，從而將中介片和第一半導(dǎo)體器件放置在載體襯底上并且被密封。中介片包括第一部分和遠(yuǎn)離第一部分延伸的導(dǎo)電柱。位于密封劑的第一側(cè)上的再分布層將導(dǎo)電柱電連接至第一半導(dǎo)體器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

由于各個(gè)電組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度的持續(xù)改進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。在很大程度上，這種集成度的改進(jìn)來自于最小特征尺寸的連續(xù)減小(例如，朝著亞20nm節(jié)點(diǎn)縮小半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn))，這允許更多的組件集成到給定的區(qū)域。隨著最近對(duì)小型化、更高的速度和更大的帶寬以及更低的功耗和延遲的需求增長(zhǎng)，對(duì)半導(dǎo)體管芯的更小和更具創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需求也增長(zhǎng)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展，堆疊和接合的半導(dǎo)體器件作為有效可選方式出現(xiàn)以進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的物理尺寸。在堆疊的半導(dǎo)體器件中，各有源電路(諸如邏輯、存儲(chǔ)器、處理器電路等)至少部分地在不同的襯底上制造，并且之后將這些有源電路物理和電接合在一起以形成功能器件。這種接合工藝?yán)脧?fù)雜的技術(shù)，并且期望改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：將粘合層放置在載體上方；將第一半導(dǎo)體器件放置在所述載體上，所述第一半導(dǎo)體器件具有第一厚度；將第一襯底放置在所述載體上，所述第一襯底具有小于所述第一厚度的第二厚度，其中，導(dǎo)電柱與所述第一襯底物理接觸；以及將密封劑與所述第一襯底、所述導(dǎo)電柱和所述第一半導(dǎo)體器件的每個(gè)均物理接觸。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：形成具有導(dǎo)電布線的中介片；將導(dǎo)電柱鍍至所述中介片上并且與所述導(dǎo)電布線電連接；去除所述中介片的部分以形成環(huán)件；將所述環(huán)件放置在第一載體襯底上；將第一半導(dǎo)體器件放置在所述第一載體襯底上，其中，在放置所述環(huán)件并且放置所述第一半導(dǎo)體器件之后，自頂向下看，所述環(huán)件圍繞所述第一半導(dǎo)體器件；用密封劑填充所述第一半導(dǎo)體器件和所述環(huán)件之間的間隔，其中，在填充所述間隔之后，所述密封劑覆蓋所述導(dǎo)電柱的側(cè)壁；在所述密封劑的第一側(cè)上方形成再分布層，其中，所述再分布層與所述導(dǎo)電柱和所述第一半導(dǎo)體器件的外部連接件物理接觸；以及將第一封裝件附接至所述密封劑的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體器件，嵌入在密封劑內(nèi)；中介片，嵌入在所述密封劑內(nèi)，其中，所述中介片具有第一部分和遠(yuǎn)離所述第一部分延伸的導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有倒錐形形狀，所述第一部分具有小于所述半導(dǎo)體器件的第二厚度的第一厚度，所述中介片圍繞所述半導(dǎo)體器件；再分布層，位于所述密封劑的第一側(cè)上方，所述再分布層將所述導(dǎo)電柱電連接至所述半導(dǎo)體器件；以及第一封裝件，位于所述密封劑中與所述再分布層相對(duì)的側(cè)上，所述第一封裝件通過所述中介片的第一部分和所述導(dǎo)電柱連接至所述半導(dǎo)體器件。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)一些實(shí)施例的載體上的粘合層和管芯附接膜的放置。

圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施例的第一半導(dǎo)體器件。

圖3A至圖3E示出了根據(jù)一些實(shí)施例的環(huán)件的形成。

圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的第一半導(dǎo)體器件和環(huán)件在載體上的放置。

圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件和環(huán)件的密封。

圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的密封劑的平坦化。

圖7示出了根據(jù)一些實(shí)施例的再分布層的形成。

圖8示出了根據(jù)一些實(shí)施例的外部連接件的形成。