[發(fā)明專利]一種C8-BTBT晶體管濕度檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810935350.5 | 申請日： | 2018-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN109254238A | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陸旭兵;麥嘉盈;唐乃維 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南師范大學(xué) |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01N27/00 |
| 代理公司： | 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425 | 代理人： | 吳靜芝 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市番禺區(qū)外*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 遷移率 傳輸特性曲線 標(biāo)準(zhǔn)曲線 濕度檢測 飽和區(qū) 標(biāo)準(zhǔn)曲線確定 濕度環(huán)境 檢測 | ||
本發(fā)明提供一種C8?BTBT晶體管濕度檢測方法，首先將C8?BTBT晶體管依次置于一系列具有梯度差的濕度環(huán)境下，分別測得所述C8?BTBT晶體管在各濕度下飽和區(qū)的傳輸特性曲線，根據(jù)該傳輸特性曲線計算出不同濕度下C8?BTBT晶體管的遷移率，從而得到濕度?遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線；再將C8?BTBT晶體管置于待測環(huán)境中，測得其飽和區(qū)的傳輸特性曲線，根據(jù)該傳輸特性曲線計算得到C8?BTBT晶體管在待測環(huán)境中的遷移率μ，將μ代入上述濕度?遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線即可得到待測濕度值。C8?BTBT晶體管在不同濕度下具有不同的傳輸特性曲線和遷移率，從而可建立濕度?遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線，通過檢測C8?BTBT晶體管的遷移率再根據(jù)C8?BTBT晶體管的濕度?遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線確定濕度值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)電子學(xué)器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種C8-BTBT晶體管濕度檢測方法。
背景技術(shù)
有機(jī)薄膜晶體管是一種以有機(jī)聚合物為有源層制成的晶體管，在未來顯示、邏輯、存儲等領(lǐng)域?qū)⒂兄鴱V泛的應(yīng)用前景。目前大部分有機(jī)薄膜晶體管的研究及測試條件都在真空條件下進(jìn)行的，使用前需要采用封裝工藝后進(jìn)行密封處理避免材料暴露在空氣中，對材料和設(shè)備的要求較高，操作復(fù)雜且成本高。
作為導(dǎo)電溝道，有源層對有機(jī)薄膜晶體管中載流子的傳輸具有重要作用，影響著有機(jī)薄膜晶體管的遷移率、工作電壓等性能。C8-BTBT(2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩)是一種新型的有機(jī)薄膜晶體管有源層材料。申請?zhí)枮?0171037226.1X的專利申請使用溶液法制備了一種基于PMMA/C8-BTBT摻雜小分子的高遷移率晶體管，該晶體管以有機(jī)小分子C8-BTBT薄膜為有緣層。雖然該晶體管具有良好的遷移率、開關(guān)比和開態(tài)電流，不過該晶體管的測試依然采用傳統(tǒng)的真空條件測試方法，操作復(fù)雜，對設(shè)備要求高，測試成本高；且該晶體管的用途尚未明確。鑒于其表現(xiàn)出的良好晶體管性能，拓展該晶體管的應(yīng)用范圍對其未來發(fā)展將具有重要作用。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，本發(fā)明提供一種C8-BTBT晶體管濕度檢測方法，該方法基于C8-BTBT對濕度靈敏的特性，根據(jù)C8-BTBT為有源層的有機(jī)薄膜晶體管在不同濕度下具有不同的遷移率來達(dá)到濕度檢測的目的。
本發(fā)明所述C8-BTBT晶體管濕度檢測方法包括以下步驟：
S1：將C8-BTBT晶體管依次置于一系列具有梯度差的濕度環(huán)境下，分別測得所述C8-BTBT晶體管在各濕度下飽和區(qū)的傳輸特性曲線，根據(jù)該傳輸特性曲線計算出不同濕度下C8-BTBT晶體管的遷移率，從而得到濕度-遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線；
S2：將C8-BTBT晶體管置于待測環(huán)境中，測得其飽和區(qū)的傳輸特性曲線，根據(jù)該傳輸特性曲線計算得到C8-BTBT晶體管在待測環(huán)境中的遷移率μ，將μ代入上述濕度-遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線即可得到待測濕度值。
相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過利用C8-BTBT晶體管對濕度靈敏的特性，將其用于檢測環(huán)境濕度。C8-BTBT晶體管在不同濕度下具有不同的傳輸特性曲線和遷移率，從而可建立濕度-遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線，通過檢測C8-BTBT晶體管的遷移率再根據(jù)C8-BTBT晶體管的濕度-遷移率標(biāo)準(zhǔn)曲線確定濕度值。
進(jìn)一步，步驟S1所述濕度為35％～95％。
進(jìn)一步，所述遷移率的計算方法為其中μsat為飽和遷移率，L為溝道長度，W為溝道寬度，Id(sat)為溝道電流，Vg為柵極電壓，Ci為平均電容。
進(jìn)一步，所述C8-BTBT晶體管包括襯底以及襯底上依次層疊的氧化硅柵極、C8-BTBT有源層、MoO3緩沖層和源漏電極。
進(jìn)一步，所述傳輸特性曲線的測試方法為，在常溫常壓下，對C8-BTBT晶體管的源漏電極施加-40V的電壓，對C8-BTBT晶體管的柵極施加-30～2V的電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南師范大學(xué)，未經(jīng)華南師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810935350.5/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
