[發明專利]一種T型整流電路及相應的三相整流電路

在審

• 申請號: 201810934687.4
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN109039118A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 陳成輝;陳四雄;易龍強
• 申請（專利權）人: 廈門科華恒盛股份有限公司;漳州科華技術有限責任公司
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

1.一種T型整流電路，其特征在于，包括第一可控開關、第一單向二極管、第一二極管、第二二極管、第一電容、第二可控開關、第二單向二極管、第三二極管、第四二極管、第二電容、電感、第一整流二極管及第二整流二極管，其中：

所述第一可控開關的源極或發射極與所述第二可控開關的漏極或集電極連接，其公共端作為T型整流電路的中間橋臂的第一端，所述第一可控開關的漏極或集電極與所述第一單向二極管的陰極連接，所述第二可控開關的源極或發射極與所述第二單向二極管的陽極連接，所述第一單向二極管的陽極與所述第二單向二極管的陰極連接，其公共端作為所述中間橋臂的第二端；

所述中間橋臂的第一端分別與所述第一整流二極管的陽極和所述第二整流二極管的陰極連接，其公共端作為所述T型整流電路的輸入端，所述中間橋臂的第二端分別與所述電感的第一端連接，所述電感的第二端接至中線；

所述第一二極管的陰極與所述第一整流二極管的陰極連接，其公共端接至正母線，所述第一二極管的陽極分別與所述第二二極管的陰極和所述第一電容的第一端連接，所述第二二極管的陽極與所述第一單向二極管的陰極或所述第一單向二極管的陽極連接，所述第一電容的第二端與所述第一可控開關的源極或發射極連接；

所述第四二極管的陽極與所述第二整流二極管的陽極連接，其公共端接至負母線，所述第四二極管的陰極分別與所述第三二極管的陽極和所述第二電容的第一端連接，所述第三二極管的陰極與所述第二單向二極管的陽極或所述第二單向二極管的陰極連接，所述第二電容的第二端與所述第二可控開關的漏極或集電極連接；其中，所述第二二極管、第三二極管、第一電容及第二電容不同時接至所述中間橋臂的兩端；

所述T型整流電路用于利用內部電路拓撲結構，使所述第一可控開關和所述第二可控開關均實現軟開關。

2.如權利要求1所述的T型整流電路，其特征在于，所述第二二極管的陽極與所述第一單向二極管的陰極連接，所述第三二極管的陰極與所述第二單向二極管的陽極連接。

3.如權利要求1所述的T型整流電路，其特征在于，所述第二二極管的陽極與所述第一單向二極管的陽極連接，所述第三二極管的陰極與所述第二單向二極管的陽極連接。

4.如權利要求1所述的T型整流電路，其特征在于，所述第二二極管的陽極與所述第一單向二極管的陰極連接，所述第三二極管的陰極與所述第二單向二極管的陰極連接。

5.如權利要求1-4任一項所述的T型整流電路，其特征在于，所述第一可控開關或所述第二可控開關具體為IGBT器件，所述IGBT器件包括IGBT管和與所述IGBT管反并聯的續流二極管。

6.如權利要求1-4任一項所述的T型整流電路，其特征在于，所述第一可控開關或所述第二可控開關具體為MOS器件，所述MOS器件包括MOS管和與所述MOS管反并聯的續流二極管，或所述MOS器件具體為帶續流二極管的一體式MOS管。

7.如權利要求1-4任一項所述的T型整流電路，其特征在于，所述T型整流電路具體包括第一集成電路、第二集成電路、電感、第一整流二極管及第二整流二極管；其中，所述第一集成電路內集成有第一可控開關、第一單向二極管、第一二極管、第二二極管、第一電容，所述第二集成電路內集成有第二可控開關、第二單向二極管、第三二極管、第四二極管、第二電容。

8.一種三相整流電路，其特征在于，包括第一整流電路、第二整流電路及第三整流電路，其中：

所述第一整流電路、所述第二整流電路及所述第三整流電路均采用如權利要求1-7任一項所述的T型整流電路，所述第一整流電路、所述第二整流電路及所述第三整流電路各自對應的正母線、負母線、中線分別對應接至一起。