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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810934187.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109411470A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H-G.埃克爾;Q.T.特蘭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/082
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/082;H01L21/8222
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳曉;申屠偉進(jìn)

1.一種功率半導(dǎo)體器件（1），其具有半導(dǎo)體主體（10）、被布置在半導(dǎo)體主體（10）的前側(cè)（10-1）的第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）、以及被布置在半導(dǎo)體主體（10）的后側(cè)（10-2）的第二負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（12），并且被配置用于借助于至少一個(gè)晶體管單元（130）來(lái)控制在第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）和第二負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（12）之間的負(fù)載電流，所述晶體管單元（130）至少部分地被包括在半導(dǎo)體主體（10）中并且在一側(cè)被電氣連接到第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）并且在另一側(cè)被電氣連接到半導(dǎo)體主體（10）的漂移區(qū)（100），所述漂移區(qū)（100）具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，

其中所述半導(dǎo)體主體（10）進(jìn)一步包括：

- 具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的晶體管短區(qū)（107），其中在所述晶體管短區(qū)（107）與第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）之間的過(guò)渡形成肖特基接觸（108）；以及

- 分離區(qū)（109），所述分離區(qū)（109）使晶體管短區(qū)（107）與漂移區(qū)（100）分離并且具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述晶體管短區(qū)（107）包括與第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）對(duì)接的第一部分（107-1）以及與分離區(qū)（109）對(duì)接的第二部分（107-2），所述第一部分（107-1）內(nèi)的第一導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑的濃度是第二部分（107-2）內(nèi)的第一導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑的濃度的至多1/10。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中，在所述晶體管短區(qū)（107）內(nèi)，第一導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑的濃度沿著從分離區(qū)（109）指向第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）的方向至少減少到1/10。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），包括至少兩個(gè)晶體管單元（130），其中所述晶體管短區(qū)（107）被布置在所述至少兩個(gè)晶體管單元（130）外部并且橫向地在所述至少兩個(gè)晶體管單元（130）中間。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述半導(dǎo)體主體（10）包括第一后側(cè)發(fā)射極區(qū)（105），所述第一后側(cè)發(fā)射極區(qū)（105）被布置成與第二負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（12）電接觸并且具有第二導(dǎo)電類(lèi)型。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述至少一個(gè)晶體管單元（130）展現(xiàn)有與第一后側(cè)發(fā)射極區(qū)（105）的至少第一共同橫向延伸范圍（LX1）。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述半導(dǎo)體主體（10）包括第二后側(cè)發(fā)射極區(qū)（106），所述第二后側(cè)發(fā)射極區(qū)（106）被布置成與第二負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（12）電接觸并且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述半導(dǎo)體主體（10）進(jìn)一步包括具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的二極管發(fā)射極區(qū)（102），所述二極管發(fā)射極區(qū)（102）被布置在所述至少一個(gè)晶體管單元（130）的外部并且電氣連接到第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11），其中在二極管發(fā)射極區(qū)（102）和漂移區(qū)（100）之間的過(guò)渡形成pn結(jié)（103）。

9.根據(jù)權(quán)利要求7和8所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述二極管發(fā)射極區(qū)（102）展現(xiàn)有與第二后側(cè)發(fā)射極區(qū)（106）的至少第二共同橫向延伸范圍（LX2）。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述二極管發(fā)射極區(qū)（102）的橫向延伸（W1）共計(jì)所述至少一個(gè)晶體管單元（130）的橫向延伸（W2）的至少3倍。

11.根據(jù)權(quán)利要求8至10之一所述的功率半導(dǎo)體器件（1），其中所述二極管發(fā)射極區(qū)（102）包括被布置成與第一負(fù)載端子結(jié)構(gòu)（11）接觸的第二端口區(qū)（1020），其中所述第二端口區(qū)（1020）內(nèi)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑的濃度是二極管發(fā)射極區(qū)（102）的其余部分內(nèi)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑的濃度的至少10倍。