[發(fā)明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810933529.7
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN109166836B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設計）人: 金東權;金基一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬;張波

1.一種半導體器件，包括：

在基板上的鰭型圖案；

柵電極，設置在所述鰭型圖案上并且交叉所述鰭型圖案；

設置在所述柵電極的兩側的第一源/漏極區(qū)域和第二源/漏極區(qū)域；

第一接觸，設置在所述第一源/漏極區(qū)域上，并且具有第一接觸側壁表面和與所述第一接觸側壁表面連接的第一頂表面，所述第一頂表面包括第一邊緣部分和第一中心部分；

第一阻擋膜，具有直接設置在所述第一接觸側壁表面上的第一阻擋膜側壁；

第一通路，設置在所述第一接觸的所述第一頂表面和所述第一阻擋膜上；

第二接觸，設置在所述第二源/漏極區(qū)域上，并且具有第二接觸側壁表面和與所述第二接觸側壁表面連接的第二頂表面；

第二阻擋膜，具有直接設置在所述第二接觸側壁表面上的第二阻擋膜側壁；和

第二通路，設置在所述第二接觸的所述第二頂表面上，

其中所述第一阻擋膜側壁的第一頂表面設置在比所述第一接觸的所述第一頂表面低的水平，以及

其中所述第一接觸的所述第一頂表面在形狀上相對地凸起。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一接觸側壁表面、所述第一接觸的所述第一頂表面的所述第一邊緣部分和所述第一阻擋膜側壁的所述第一頂表面在第一點處相接，

所述第一接觸的所述第一頂表面的所述第一邊緣部分在第一向上方向上直接從所述第一點突出。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中所述第二頂表面包括第二邊緣部分和第二中心部分，

所述第二接觸側壁表面、所述第二接觸的所述第二頂表面的所述第二邊緣部分和所述第二阻擋膜側壁的第二頂表面在第二點處相接，以及

所述第二接觸的所述第二頂表面的所述第二邊緣部分在第二向上方向上直接從所述第二點突出。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二接觸的所述第二頂表面的所述第二邊緣部分在所述第二向上方向上凸起地圓化。

5.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二阻擋膜側壁的所述第二頂表面和所述第二接觸的所述第二頂表面的所述第二邊緣部分設置在比所述第二接觸的所述第二頂表面的所述第二中心部分低的水平。

6.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一接觸的所述第一頂表面的所述第一邊緣部分在所述第一向上方向上凸起地圓化。

7.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一接觸在所述第一點處在第一方向上的寬度小于或等于在所述第一通路的底部分處所述第一通路的在相反的側表面之間的在所述第一方向上的寬度。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一絕緣膜，圍繞所述第一接觸、所述第二接觸、所述第一阻擋膜和所述第二阻擋膜的組合，

其中第一凹入?yún)^(qū)域存在于所述第一阻擋膜側壁的所述第一頂表面之上且在所述第一絕緣膜的緊鄰所述第一阻擋膜側壁的所述第一頂表面的部分中。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一凹入?yún)^(qū)域具有從所述第一阻擋膜側壁的所述第一頂表面向上增加的寬度。