[發明專利]一種質量厚度為500-1000μg/cm2

有效

• 申請號: 201810933360.5
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN109082634B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 歐志清
• 申請（專利權）人: 廣州本康環保科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58
• 代理公司: 廣州市時代知識產權代理事務所(普通合伙) 44438
• 代理人: 盧浩

1.一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在襯底表面沉積氯化鉀脫模劑；

（2）采用90度磁過濾陰極真空弧（FCVA）系統在襯底表面沉積氧化鎂緩沖薄膜；（3）將樣品旋轉180°，采用直管磁過濾陰極真空弧（FCVA）系統再次沉積鎵薄膜；

（4）將得到的襯底放入盛有乙醇溶液的容器中進行脫模處理；

（5）用打撈板將鎵薄膜撈起，得到質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜。

2.根據權利要求1所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述襯底為玻璃或者單晶硅襯底。

3.根據權利要求1-2任一項所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中采用電子束熱蒸發法沉積氯化鉀脫模劑，所述氯化鉀脫模劑厚度180-280nm。

4.根據權利要求3所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中采用氧化鎂靶材作為90度FCVA陰極，起弧電流為55-80A，彎管磁場1.0-3.0A，束流50-80mA，負偏壓為-100～-200V，沉積時間為10-30min，占空比為40-80%。

5.根據權利要求4所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述氧化鎂緩沖薄膜厚度為120-180nm。

6.根據權利要求5所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（3）中采用鎵靶材作為直管FCVA陰極，起弧電流為70-100A，彎管磁場2.0-5.0A，束流50-120mA，負偏壓為-150～-350V，沉積時間為60-120min，占空比為50-90%。

7.根據權利要求6所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述鎵薄膜厚度為10-40μm。

8.根據權利要求7所述一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中所述乙醇溶液含水質量為5%-8%。

9.一種質量厚度為500-1000μg/cm²自支撐鎵薄膜，其特征在于采用如權利要求1-8任一項所述制備方法制備。