[發明專利]一種抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池在審
| 申請號： | 201810933139.X | 申請日： | 2018-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN109065734A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發明（設計）人： | 顧兵;曹曦;薛玉雄;黃光光;徐淑宏;芮光浩;楊生勝;王光毅;崔一平 | 申請（專利權）人： | 東南大學;蘭州空間技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L51/46 | 分類號： | H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 景鵬飛 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈣鈦礦 太陽能電池 電子傳輸層 輻照 光敏層 碳電極 導電玻璃電極 鈣鈦礦材料 抗輻照性能 材料成本 光電性能 添加材料 制備過程 填充 簡易 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述的太陽能電池自下而上依次設有導電玻璃電極層，電子傳輸層，鈣鈦礦光敏層和碳電極，所述的電子傳輸層、鈣鈦礦光敏層和碳電極中均填充有鈣鈦礦材料。
2.根據權利要求1所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述的電子傳輸層的材料選用TiO2。
3.根據權利要求1所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述的鈣鈦礦光敏層的材料選用ZrO2。
4.根據權利要求1所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述的鈣鈦礦材料為
MAPbI3結構，其中MA為CH3NH3。
5.根據權利要求1所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述的導電玻璃電極層為FTO導電玻璃，具體為摻雜氟的SnO2透明導電玻璃。
6.一種根據權利要求1所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池生產工藝，其特征在于，所述的生產工藝如下：
1)對導電玻璃進行刻蝕，將致密層溶液均勻噴涂在其表面；
2)將TiO2漿料、ZrO2漿料、碳漿料依次印刷在導電玻璃的致密層上，形成三層介觀層；
3)采用溶液浸涂法將鈣鈦礦材料填充到三層介觀層中。
7.根據權利要求6所述的抗輻照的鈣鈦礦太陽能電池生產工藝，其特征在于，所述的致密層溶液為二(二乙酰丙酮基)鈦酸二異丙酯的乙醇溶液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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