[發(fā)明專利]一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810932053.5 | 申請日： | 2018-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN109309150B | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葛永暉;郭炳磊;王群;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氮化 發(fā)光二極管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長電子提供層、有源層和空穴提供層；
其中，所述電子提供層包括N型氮化鎵層以及插入在所述N型氮化鎵層中的至少一個P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層的數(shù)量為1個～20個，所述N型氮化鎵層的厚度大于所述電子提供層的厚度的1/2，每個所述P型氮化鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度與所述N型氮化鎵層中N型摻雜劑的摻雜濃度相同，在生長所述P型氮化鎵層之后，采用氫氟酸緩沖腐蝕液對所述P型氮化鎵層的表面進行處理，所述氫氟酸緩沖腐蝕液的處理時長為5min～30min，所述氫氟酸緩沖腐蝕液的溫度為20℃～40℃，
所述P型氮化鎵層的生長條件與所述N型氮化鎵層的生長條件相同，所述生長條件包括生長溫度和生長壓力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，每個所述P型氮化鎵層的厚度為5nm～30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述電子提供層的厚度為2μm～8μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，每個所述P型氮化鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度為1018cm-3～1020cm-3，所述N型氮化鎵層中N型摻雜劑的摻雜濃度為1018cm-3～1020cm-3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述電子提供層的生長溫度為1000℃～1200℃，所述電子提供層的生長壓力為100torr～500torr。
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