[發(fā)明專利]一種半導體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810925083.3
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110828543B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京睿派知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11597
• 代理人: 劉鋒

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底的中間結(jié)構(gòu)，所述半導體襯底的中間結(jié)構(gòu)形成有鰭部以及覆蓋部分所述鰭部的柵介質(zhì)層；

形成覆蓋所述柵介質(zhì)層的非晶硅層，所述非晶硅層的厚度大于所述鰭部的高度；

刻蝕所述非晶硅層形成第一凹槽，所述第一凹槽位于相鄰的兩個所述鰭部之間；

在所述第一凹槽中形成隔離結(jié)構(gòu)；

去除所述非晶硅層；

其中，形成所述半導體襯底的中間結(jié)構(gòu)包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有鰭部；

形成橫跨所述鰭部的偽柵結(jié)構(gòu)，所述偽柵結(jié)構(gòu)的高度大于所述鰭部的高度；

形成覆蓋所述偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層；

去除偽柵結(jié)構(gòu)，以形成露出部分所述鰭部的第二凹槽，所述第二凹槽用于限定所述非晶硅層的位置；

形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層覆蓋所述第二凹槽中露出的部分所述鰭部。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度大于所述鰭部的高度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成非晶硅層包括：

在所述第二凹槽中沉積所述非晶硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成第一凹槽的工藝為各向異性刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成橫跨所述鰭部的偽柵結(jié)構(gòu)包括：

形成偽柵材料層；

圖案化所述偽柵材料層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述形成非晶硅層包括：

非晶硅沉積；

封帽退火。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層包括依次疊置的介質(zhì)材料層、高介電常數(shù)材料層和氮化鈦層。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，半導體襯底的中間結(jié)構(gòu)的鰭部之間形成有隔離層，所述隔離層與所述隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同。