[發明專利]一種半導體器件及其形成方法有效
| 申請號： | 201810925081.4 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN110828542B | 公開（公告）日： | 2023-06-20 |
| 發明（設計）人： | 伏廣才 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京睿派知識產權代理有限公司 11597 | 代理人： | 劉鋒 |
| 地址： | 300000 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底內形成有相互分隔的體區和漂移區；
形成與部分所述體區以及部分所述漂移區交疊的柵極結構；
在所述體區中形成源區，在所述漂移區中形成漏區；
形成第一金屬硅化物阻擋層，所述第一金屬硅化物阻擋層覆蓋所述漂移區和靠近漂移區一側的部分所述柵極結構；以及
在所述第一金屬硅化物阻擋層上形成第二金屬硅化物阻擋層；
其中，所述第一金屬硅化物阻擋層為絕緣材料，所述第二金屬硅化物阻擋層為導電材料或半導體材料，所述第二金屬硅化物阻擋層包括納米硅量子點層。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成第二金屬硅化物阻擋層包括：
沉積多晶硅層；以及
熱氧化所述多晶硅層以形成所述納米硅量子點層。
3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為2nm～5nm。
4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述沉積多晶硅層的方法為化學氣相沉積法。
5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述納米硅量子點層的層數為一層或多層。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物阻擋層的材質為富硅二氧化硅。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二金屬硅化物阻擋層的面積小于或等于第一金屬硅化物阻擋層的面積。
8.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底包括相互分隔的體區和漂移區；
源區，所述源區形成在體區中；
漏區，所述漏區形成在漂移區中；
柵極結構，所述柵極結構與所述體區以及所述漂移區交疊；
第一金屬硅化物阻擋層，所述第一金屬硅化物阻擋層覆蓋所述漂移區和靠近漂移區一側的部分所述柵極結構；以及
第二金屬硅化物阻擋層，所述第二金屬硅化物阻擋層疊置在所述第一金屬硅化物阻擋層上；
其中，所述第一金屬硅化物阻擋層為絕緣材料，所述第二金屬硅化物阻擋層為導電材料或半導體材料，所述第二金屬硅化物阻擋層包括納米硅量子點層。
9.如權利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一金屬硅化物阻擋層的材質為富硅二氧化硅。
10.如權利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二金屬硅化物阻擋層的層數為一層或多層。
11.如權利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二金屬硅化物阻擋層的面積小于或等于第一金屬硅化物阻擋層的面積。
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