[發明專利]靜態存儲單元的形成方法及靜態存儲單元

有效

• 申請號: 201810923960.3
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110828380B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L27/11;H01L21/336;H01L21/78;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述靜態存儲單元的形成方法包括：

提供基底，所述基底包括襯底及形成于所述襯底上的鰭部，所述鰭部包括源極區域和漏極區域；

在所述基底上依次形成覆蓋所述襯底及所述鰭部的多晶硅材料層及覆蓋所述多晶硅材料層的第一介質層；

在所述第一介質層中形成對應所述源極區域的第一開口，所述第一開口暴露出部分所述多晶硅材料層；

在所述第一開口的側壁形成第一側墻以形成對準所述源極區域的第二開口，并執行第一離子注入工藝以對所述源極區域進行離子注入；

去除剩余的所述第一介質層、剩余的所述第一介質層下方的所述多晶硅材料層及所述第二開口下方的所述多晶硅材料層，形成對準所述源極區域的第三開口及對準所述漏極區域第四開口；

執行第二離子注入工藝以對所述源極區域及所述漏極區域進行離子注入以形成源極和漏極。

2.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述源極的離子注入的濃度較所述漏極的離子注入濃度高。

3.如權利要求2所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述源極區域注入的離子包括砷離子和/或磷離子，所述漏極區域注入的離子包括硼離子和/或氟化硼離子。

4.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，執行所述第一離子注入工藝中，對所述源極區域進行離子注入的能量大于等于10⁵ev；執行所述第二離子注入工藝中，對所述源極區域及所述漏極區域進行離子注入的能量小于10⁵ev。

5.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，形成所述第三開口及所述第四開口之后，執行所述第二離子注入工藝之前，所述靜態存儲單元的形成方法還包括：

去除所述第一側墻；

在所述第三開口及所述第四開口的側壁形成第二側墻。

6.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的橫截面寬度為10nm～15nm。

7.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述多晶硅材料層及所述第一介質層之間還形成有一第二介質層，所述第二介質層的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或多種。

8.如權利要求7所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述第二介質層與所述多晶硅材料層之間及所述鰭部與所述多晶硅材料層之間均形成有柵介質層。

9.如權利要求1所述的靜態存儲單元的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的材料包括不定型碳或不定型硅中的一種。

10.一種靜態存儲單元，其特征在于，所述靜態存儲單元通過如權利要求1至9任一項所述的方法形成，所述靜態存儲單元包括：

基底，所述基底包括襯底及形成與所述襯底上的鰭部，所述鰭部中形成有源極和漏極，所述源極的離子注入濃度較所述漏極的離子注入濃度大；

位于所述基底上的柵極結構，所述柵極結構位于所述源極與所述漏極之間且覆蓋所述鰭部的頂壁和側壁。