[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201810923903.5
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110828460B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區、第二區和第三區，所述第二區位于所述第一區和所述第三區之間，所述第二區與所述第一區和所述第三區相鄰；

在所述第一區基底內具有第一摻雜層；

在所述第三區基底內具有第二摻雜層，且所述第二摻雜層和所述第一摻雜層相鄰；

在所述基底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述第一摻雜層和第二摻雜層；

在第二區的介質層上形成第一掩膜層；

在所述第一掩膜層側壁形成第二掩膜層，所述第二掩膜層位于第二區的介質層上；

以第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜刻蝕第一區和第三區的介質層，分別在第一區和第三區的介質層內形成第一溝槽，所述第一溝槽底部分別暴露出第一摻雜層和第二摻雜層；

形成第一溝槽后，去除所述第一掩膜層；

去除所述第一掩膜層后，以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕第二區的介質層，在第二區的介質層內形成第二溝槽；

在所述第一溝槽內形成第一導電結構；在所述第二溝槽內形成第二導電結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層沿垂直于鰭部延伸方向且平行于基底水平方向的寬度為3nm～15nm。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的形成方法包括：在介質層和第一掩膜層上形成第二掩膜材料層；回刻蝕所述第二掩膜材料層，直至暴露出第一掩膜層頂部表面，在第一掩膜層側壁形成所述第二掩膜層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的形成方法包括：在介質層上初始第一掩膜層；在所述初始第一掩膜層表面形成圖形化層，所述圖形化層暴露出部分初始第一掩膜層的表面；以所述圖形化層為掩膜，刻蝕所述初始第一掩膜層，在介質層上形成所述第一掩膜層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層沿垂直于鰭部延伸方向且平行于基底水平方向的寬度為20nm～40nm。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底還包括第一器件區和第二器件區，所述第一器件區與第二器件區相鄰，所述第一器件區和第二器件區以第二區中心線為軸鏡像分布，所述第一區位于第一器件區內，所述第三區位于第二器件區內。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底內還具有第一鰭部、第二鰭部和第一柵極結構，所述第一鰭部位于基底第一區內，所述第二鰭部位于基底第三區內，所述第一柵極結構位于基底第一區、第二區和第三區，所述第一柵極結構橫跨第一鰭部和第二鰭部并覆蓋第一鰭部和第二鰭部部分側壁和頂部表面，所述第一摻雜層位于第一柵極結構兩側的第一鰭部內，所述第二摻雜層位于第一柵極結構兩側的第二鰭部內，所述第二溝槽暴露出第一柵極結構。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底內還具有第二柵極結構，所述第二柵極結構位于基底第二區內，所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于第二柵極結構兩側，所述第二溝槽暴露出部分所述第二柵極結構。

11.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一導電結構的形成方法包括：在所述第一溝槽內和介質層上形成第一導電材料層；回刻蝕所述第一導電材料層，直至暴露出介質層表面，在所述第一溝槽內形成第一導電結構。