[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810921626.4
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN108922475B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 洪森全;郭士豪
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;李琛

本發(fā)明提供發(fā)光二極管裝置以及發(fā)光二極管裝置的控制方法。控制方法包括：于預重置階段施加預重置電壓至發(fā)光二極管裝置的驅動晶體管的控制端，以預重置驅動晶體管的控制端；于第一重置階段使用重置電壓源重置發(fā)光二極管裝置的驅動晶體管的控制端；于補償階段補償驅動晶體管的控制端至補償電位；以及于發(fā)光階段驅動晶體管提供驅動電流以驅動發(fā)光二極管裝置的發(fā)光二極管發(fā)光。

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置以及發(fā)光二極管裝置的控制方法。

背景技術

隨著顯示技術的進步，發(fā)光二極管已經被廣泛應用在顯示科技中，而主動矩陣有機發(fā)光二極管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode；AMOLED)即是顯示技術的主要發(fā)展重點之一。

發(fā)明內容

主動矩陣有機發(fā)光二極管在高速操作時，會產生動態(tài)模糊(motion blur)的顯示狀況。

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管裝置以及發(fā)光二極管裝置的控制方法，可改善動態(tài)模糊的狀況。

本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的控制方法，包括：于預重置階段施加預重置電壓至發(fā)光二極管裝置的驅動晶體管的控制端，以預重置驅動晶體管的控制端，其中預重置電壓增大驅動晶體管的控制端與第一端間的壓差；于第一重置階段使用重置電壓源重置發(fā)光二極管裝置的驅動晶體管的控制端；于補償階段補償驅動晶體管的控制端至補償電位；以及于發(fā)光階段驅動晶體管提供驅動電流以驅動發(fā)光二極管裝置的發(fā)光二極管發(fā)光。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的預重置電壓為數(shù)據(jù)信號通過至少一電容耦合至驅動晶體管的控制端的電壓。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的控制方法還包括于第二重置階段重置驅動晶體管的第一端至目標電位，從而增加驅動晶體管的第一端及第二端之間的電壓差，其中驅動晶體管的第一端耦接發(fā)光二極管。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的發(fā)光階段的開始時間點介于第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的驅動晶體管的第二端耦接于高電壓源，發(fā)光二極管裝置還包括第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關、第六開關以及電荷存儲單元。第一開關的第一端與第二端分別耦接參考電壓源與第二開關的第一端。第二開關的第二端用以接收數(shù)據(jù)信號。電荷存儲單元耦接于第二開關的第一端與驅動晶體管的控制端之間。第三開關與第四開關串接于驅動晶體管的控制端與第二端之間。第五開關耦接于第三開關與第四開關的共同接點與重置電壓源之間。第六開關的第一端與第二端分別耦接于驅動晶體管的第一端與發(fā)光二極管的陽極。發(fā)光二極管的陰極耦接低電壓源。第一開關與第六開關的導通狀態(tài)受控于發(fā)光控制信號。第五開關的導通狀態(tài)受控于第一控制信號。第二開關至第四開關的導通狀態(tài)受控于第二控制信號。發(fā)光二極管裝置的控制方法包括：于預重置階段使受控于第二控制信號的開關導通，并使受控于發(fā)光控制信號與第一控制信號的開關斷開；于第一重置階段使受控于第一控制信號與第二控制信號的開關導通，并使受控于發(fā)光控制信號的開關斷開；于補償階段使受控于第二控制信號的開關導通，并使受控于發(fā)光控制信號與第一控制信號的開關斷開；以及于發(fā)光階段使受控于發(fā)光控制信號的開關導通，并使受控于第一控制信號與第二控制信號的開關斷開。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的控制方法于第二重置階段重置第六開關的第二端至目標電位，從而增加驅動晶體管的第一端及第二端之間的電壓差。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的發(fā)光階段的開始時間點介于第二重置階段的開始時間點與結束時間點之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的控制方法包括延遲第一控制信號以于第二重置階段產生重置信號重置第六開關的第二端至目標電位。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一開關至第六開關分別包括晶體管。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的補償電位是高電壓源的電壓電平及驅動晶體管的門限電壓的差值。