[發明專利]一種集成肖特基續流二極管碳化硅槽柵MOSFET

有效

• 申請號: 201810921041.2
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN109119419B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 易波;張丙可
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L29/872
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種集成肖特基續流二極管碳化硅槽柵MOSFET，其元胞由以下結構構成：

N⁺型襯底(8)，

位于N⁺型襯底下的漏電極(10)，

位于N⁺型襯底上的N^-型漂移區(1)，

分別位于N^-型漂移區上左右兩側的P型基區(2)，P型基區之間設置的柵電極(4)，所述柵電極與P型基區之間及柵電極與N^-型漂移區之間設置的柵氧化層(5)，

位于P型基區內的N⁺源區(3)，所述N⁺源區位于P型基區頂部且緊鄰柵電極一側，

深入一側P型基區(2)、且與N^-型漂移區(1)直接接觸的深槽(6)，

以及覆蓋所述P型基區(2)、N⁺源區(3)與深槽(6)的源電極(9)；

其特征在于，所述元胞還包括一個P⁺型電場屏蔽區(7)，所述P⁺型電場屏蔽區位于深槽(6)正下方，且所述源電極(9)于深槽(6)內側壁位置與N^-型漂移區(1)形成肖特基接觸。