[發(fā)明專利]一種基于GQDs-PVA填充的FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感器及制備方法

有效

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• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN108982415B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙勇;仝銳杰
• 申請（專利權(quán)）人: 東北大學(xué)
• 主分類號: G01N21/41
• 分類號: G01N21/41
• 代理公司: 大連理工大學(xué)專利中心 21200
• 代理人: 陳玲玉;梅洪玉

1.一種基于GQDs-PVA填充的FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感器，其特征在于，光子晶體光纖兩端分別熔接單模光纖和空芯光纖，自空芯光纖的自由端向熔接端填充GQDs-PVA混合物；光子晶體光纖的長度為aμm，空芯光纖未填充GQDs-PVA的長度為bμm，且0.5＜a:b≤1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GQDs-PVA填充的FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感器，其特征在于，空芯光纖內(nèi)徑為10～51μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于GQDs-PVA填充的FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感器，其特征在于，GQDs-PVA混合物中，PVA與GQDs的質(zhì)量比為0.5。

4.權(quán)利要求1～3中任一所述的基于GQDs-PVA填充的FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感器制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：GQDs-PVA混合物的制備：PVA與GQDs的質(zhì)量比為0.5，其中，GQDs以溶液形式加入，其濃度為1mg/mL，之后將PVA和GQDs溶液混合并放在磁力攪拌機(jī)下攪拌，攪拌速度為2000-3000rad/min，攪拌溫度為30-40℃；

步驟二：FPI級聯(lián)型光纖濕度傳感結(jié)構(gòu)的制備：使用光纖切割刀切一段光子晶體光纖、一段單模光纖和空芯光纖；將一段單模光纖和光子晶體光纖一端分別放置在光纖熔接機(jī)里，調(diào)節(jié)光纖熔接機(jī)的放電強(qiáng)度為60～80，推進(jìn)距離不大于3μm，對單模光纖和光子晶體光纖進(jìn)行手動熔接；之后將光子晶體光纖的另一端和空芯光纖分別放進(jìn)光纖熔接機(jī)里面，調(diào)節(jié)光纖熔接機(jī)的放電強(qiáng)度為50～80，推進(jìn)距離不大于3μm，對空芯光纖和光子晶體光纖進(jìn)行手動熔接，完成光子晶體光纖凸錐型傳感結(jié)構(gòu)制備；

步驟三：將步驟一制備的GQDs-PVA混合物自空芯光纖的自由端向熔接端填充，通過填充時間控制GQDs-PVA混合物的填充長度，使得光子晶體光纖的長度aμm與空芯光纖未填充GQDs-PVA的長度bμm關(guān)系為：0.5＜a:b≤1。