[發(fā)明專利]PMOS管驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810919143.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109194319B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李有池;姜峰;楊寶平;侯育增;朱鳳仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北方電子研究院安徽有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 付建軍

本發(fā)明公開(kāi)了一種PMOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括三極管開(kāi)關(guān)、第一控制電路、第二控制電路和PMOS管；所述三極管開(kāi)關(guān)的輸入端接收控制信號(hào)，輸出端與所述第一控制電路和所述第二控制電路的一個(gè)輸入端連接；所述第一控制電路和所述第二控制電路的輸出端與所述PMOS管的輸入端連接，另一個(gè)輸入端與電源電壓連接；所述第一控制電路構(gòu)成為在所述電源電壓為低電壓的情況下，使施加在所述PMOS管上的電壓基本等于所述電源電壓；所述第二控制電路構(gòu)成為在所述電源電壓為高電壓的情況下，使施加在所述PMOS管上的電壓保持穩(wěn)定值。本發(fā)明的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路能夠適應(yīng)電源電壓高、低的大范圍變化，具有超寬的電源電壓范圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PMOS管驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱MOS管，是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。它不但具備雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，而且具有功耗低、輸入阻抗極高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn)。因而，在電子線路中有著廣泛的應(yīng)用。根據(jù)溝道材料的不同，MOS管分為PMOS管和NMOS管。

由于PMOS管是一種電壓控制器件，其輸出受柵源電壓V_GS控制，而V_GS與電源電壓密切相關(guān)。一般的V_GS驅(qū)動(dòng)電路，多采用三極管控制的電阻分壓，這在電源電壓變化不大時(shí)是一種很好的解決方法。但是，在電源電壓變化較大的場(chǎng)合，電阻分壓的局限性就比較明顯。因?yàn)椋?dāng)電源電壓變得較高時(shí)，V_GS必然增大，甚至超過(guò)PMOS管V_GS的安全電壓。盡管很多MOS管內(nèi)部有保護(hù)穩(wěn)壓管，但驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。當(dāng)電源電壓變得較低時(shí)，V_GS必然減小，可能引起導(dǎo)通不夠，從而增加功耗，甚至低于PMOS管V_GS的開(kāi)啟電壓，PMOS管不通，導(dǎo)致原設(shè)計(jì)失效。采用穩(wěn)壓管驅(qū)動(dòng)V_GS電路存在同樣的問(wèn)題。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值選的較低，盡管能夠保證在電源電壓較低時(shí)，PMOS管仍能工作，但由于限流電阻總存在壓降，限制了電源電壓更低的應(yīng)用環(huán)境，而在電源電壓較高時(shí)，又會(huì)給電路帶來(lái)較大的功耗。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種PMOS管驅(qū)動(dòng)電路，能夠適應(yīng)電源電壓高、低的大范圍變化，既能夠使PMOS管正常導(dǎo)通，又使得V_GS(柵源電壓)始終處于安全電壓范圍。

本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種PMOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括三極管開(kāi)關(guān)、第一控制電路、第二控制電路和PMOS管；所述三極管開(kāi)關(guān)的輸入端接收控制信號(hào)，輸出端與所述第一控制電路和所述第二控制電路的一個(gè)輸入端連接；所述第一控制電路和所述第二控制電路的輸出端與所述PMOS管的輸入端連接，另一個(gè)輸入端與電源電壓連接；所述第一控制電路構(gòu)成為在所述電源電壓為低電壓的情況下，使施加在所述PMOS管上的電壓基本等于所述電源電壓；所述第二控制電路構(gòu)成為在所述電源電壓為高電壓的情況下，使施加在所述PMOS管上的電壓保持穩(wěn)定值。

本發(fā)明的上述方面的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路具有超寬的電源電壓范圍，可在略高于PMOS管的開(kāi)啟電壓和漏-源擊穿電壓范圍內(nèi)工作。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一種實(shí)施方式的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路的原理框圖。

圖2是本發(fā)明一種實(shí)施方式的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路的第一控制電路起作用的等效電路圖。

圖3是本發(fā)明一種實(shí)施方式的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路的第二控制電路起作用的等效電路圖。

圖4是本發(fā)明一種實(shí)施方式的PMOS管驅(qū)動(dòng)電路的第一控制電路、第二控制電路綜合作用的等效電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。