[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201810915225.8 | 申請日： | 2018-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN110098122A | 公開（公告）日： | 2019-08-06 |
| 發明（設計）人： | 蔡俊雄;鄭雅云;沙哈吉·B·摩爾;彭成毅;李威養;游國豐;陳燕銘;陳建豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鰭片 鰭片側壁 間隔物 布植 柵極側壁間隔物 半導體裝置 蝕刻制程 柵極結構 鄰近 凹蝕 摻質 頂面 制程 半導體材料 基底 保留 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
提供一結構，包含一基底、一鰭片在該基底上以及一柵極結構接合該鰭片；
執行一第一布植制程，以將一摻質布植至鄰近該柵極結構的該鰭片中；
形成數個柵極側壁間隔物于該柵極結構的側壁上及鰭片側壁間隔物于該鰭片的側壁上；
執行一第一蝕刻制程，以凹蝕鄰近所述柵極側壁間隔物的該鰭片，且保留該鰭片的至少一部分于所述鰭片側壁間隔物上；
在該第一蝕刻制程之后，執行一第二布植制程，以將該摻質布植至該鰭片及所述鰭片側壁間隔物中；
在該第二布植制程之后，執行一第二蝕刻制程，以凹蝕鄰近所述柵極側壁間隔物的該鰭片，直到該鰭片的一頂面在所述鰭片側壁間隔物的一頂面之下，在所述鰭片側壁間隔物之間產生一溝槽；以及
外延成長一半導體材料于該溝槽中。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
