[發明專利]光伏電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201810914850.0
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN108807686B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 廣東威陽科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44
• 代理公司: 杭州聚邦知識產權代理有限公司 33269
• 代理人: 彭友誼

1.基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池的制造方法，該光伏電池包括ITO導電玻璃基底、紫外光屏蔽層、空穴傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、電子傳輸層和反射電極組成；所述的紫外光屏蔽層形成在ITO導電玻璃基底之上；所述的紫外屏光蔽層由N個依次層疊的m-MTDATA/F16CuPc異質結所組成；所述的m-MTDATA/F16CuPc異質結中m-MTDATA的厚度為2-5nm，F16CuPc的厚度為2-5nm；所述的紫外屏光蔽層中m-MTDATA/F16CuPc異質結個數N的數值范圍為10-30的整數；

所述光伏電池的制造方法，其特征在于，按以下步驟依次進行：

(1)ITO導電玻璃基底清洗；

(2)ITO導電玻璃基底上制備紫外光屏蔽層；

(3)紫外光屏蔽層上制備空穴傳輸層;

(4)空穴傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層;

(5)鈣鈦礦光吸收層上制備電子傳輸層;

(6)電子傳輸層上制備反射電極；

太陽光從玻璃面照射進光伏電池，經過ITO導電玻璃基底，大部分太陽光中的深紫外、中紫外和部分的近紫外光被ITO導電玻璃基底所吸收，部分近紫外光、可見光和近紅外光進入電池內部；近紫外光到達紫外光屏蔽層，被F16CuPc和m-MTDATA完全吸收。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，制備紫外光屏蔽層的制備采用真空熱沉積的方法進行，沉積速率控制為0.05nm/s，沉積厚度和沉積速率使用石英晶振片進行監控。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于,所述的空穴傳輸層形成在紫外光屏蔽層上；所述的空穴傳輸層包括NiO、spiro-OMeTAD、PEDOT：PSS，P3HT，PCDTBT，PTB7，MoOx，grapheneoxide，NiOx，WO3，V2O5；所述的空穴傳輸層優選厚度30-100nm。