[發明專利]一種二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201810914705.2
• 申請日: 2018-08-13
• 公開（公告）號: CN109004022B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 陽林濤;王永貴
• 申請（專利權）人: 深圳市天佑照明有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 深圳邁遼知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種二極管，其特征在于，包括：

第一導電類型的襯底；

第二導電類型的阱區，包括兩個第一阱區和兩個第二阱區，所述第一阱區形成于所述襯底的上表面兩側邊緣，所述第二阱區形成于所述襯底的下表面兩側邊緣；

第一導電類型的第一外延層，形成于所述襯底的上表面，所述第一外延層的摻雜濃度低于所述襯底的摻雜濃度；

第二導電類型的埋層，形成于所述第一外延層，與所述襯底連接；

第一導電類型的第二外延層，形成于所述第一外延層之上，所述第二外延層的摻雜濃度低于所述第一外延層的摻雜濃度；

場氧區，由第二外延層上表面兩側邊緣處進行局部二氧化硅生長形成，所述場氧區位置與所述阱區對應；

第二導電類型的第一摻雜區，形成于所述第二外延層內；

正面金屬和背面金屬。

2.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，還包括：

多個第一導電類型的第二摻雜區，形成于所述第一摻雜區內。

3.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述襯底的厚度范圍為180～220μm，所述第一阱區和第二阱區的厚度范圍為10～80μm。

4.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述第一外延層厚度為2±0.2μm，所述第二外延層厚度為10～15μm。

5.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述二氧化硅的厚度為8000A，其中A為Angstrom的縮寫，含義為納米的十分之一。

6.一種二極管制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底的上表面兩側邊緣注入形成兩個第二導電類型的第一阱區，以及在所述襯底的下表面對應位置分別注入形成兩個第二導電類型的第二阱區；

在所述襯底的上表面生長第一導電類型的第一外延層，所述第一外延層的摻雜濃度低于所述襯底的摻雜濃度；

在所述第一外延層內注入形成第二導電類型的埋層，所述埋層與所述襯底連接；

在所述第一外延層之上生長形成第一導電類型的第二外延層，所述第二外延層的摻雜濃度低于所述第一外延層的摻雜濃度；

在所述第二外延層上表面兩側邊緣處進行局部二氧化硅生長形成場氧區；

在所述第二外延層上表面注入形成第二導電類型的第一摻雜區；

形成正面金屬和背面金屬。

7.根據權利要求6所述的二極管制備方法，其特征在于，在所述第二外延層上表面注入形成第二導電類型的第一摻雜區之后還包括：

在所述第一摻雜區上表面注入形成多個第一導電類型的第二摻雜區。

8.根據權利要求6所述的二極管制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區注入劑量為1E16～5E16CM^-2，采用分次注入方式注入。

9.根據權利要求6所述的二極管制備方法，其特征在于，所述正面金屬覆蓋住場氧區。

10.根據權利要求7所述的二極管制備方法，其特征在于，在所述第一摻雜區上表面注入形成多個第一導電類型的第二摻雜區之后進行快速退火工藝修復雜質損傷，快速退火工藝溫度為950～1000℃，時間為8～15秒。