[發明專利]薄膜晶體管及薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201810913496.X
• 申請日: 2018-08-13
• 公開（公告）號: CN109148595B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 尹易彪
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管，用于顯示裝置，其特征在于，包括：

基板，

柵極層，設置在所述基板上；

光折射層，設置在所述柵極層上，至少覆蓋所述柵極層的兩側；

絕緣層，設置在所述光折射層上；

有源層，設置在所述絕緣層上；以及

源漏層，設置在所述有源層上；

其中所述有源層包括與所述柵極層交疊形成的溝道區，所述光折射層用于使背光源的入射光發生折射，

當所述薄膜晶體管處于ON狀態時，通過正電壓導通所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區；當所述薄膜晶體管處于OFF狀態時，通過負電壓關閉所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區之外。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述光折射層的厚度為N，其中

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述光折射層的透光率為M，M≥50％。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述光折射層的材料為DKDP、ADP、LN和LT中的一種。

5.一種薄膜晶體管，用于顯示裝置，其特征在于，包括：

基板；

遮光層，設置在所述基板上；

光折射層，設置在所述遮光層上，至少覆蓋所述遮光層的兩側；

第一絕緣層，設置在所述光折射層上；

源漏層，設置在所述第一絕緣層上，且位于所述遮光層的兩側；

有源層，設置在所述源漏層上，且正對所述遮光層；

第二絕緣層，設置在所述有源層上，且覆蓋所述源漏層；以及

柵極層，設置在所述第二絕緣層上，且正對所述遮光層；

其中所述有源層包括與所述柵極層交疊形成的溝道區，所述光折射層用于使背光源的入射光發生折射，

當所述薄膜晶體管處于ON狀態時，通過正電壓導通所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區；當所述薄膜晶體管處于OFF狀態時，通過負電壓關閉所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區之外。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述光折射層的厚度為N，其中

7.一種用于顯示裝置的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成圖案化的柵極層；

在所述柵極層上形成圖案化的由光電材料制成的光折射層，所述光折射層至少覆蓋所述柵極層的兩側，所述光折射層用于使背光源的入射光發生折射；

在所述光折射層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成有源層，所述有源層包括與所述柵極層交疊形成的溝道區；

在所述有源層上形成源漏層，以形成所述薄膜晶體管，當所述薄膜晶體管處于ON狀態時，導通所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區；當所述薄膜晶體管處于OFF狀態時，關閉所述薄膜晶體管，所述柵極層和所述源漏層形成寄生電容，改變所述光折射層的折射率，以使所述光折射層將背光源的入射光偏轉至所述溝道區之外。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述光電材料為非晶態材料或單晶材料。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，當所述光電材料為非晶態材料時，所述光折射層采用光刻工藝形成；當所述光電材料為單晶材料時，所述光折射層采用激光定向誘導沉積工藝形成。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述光折射層的厚度為N，其中