[發(fā)明專利]一種晶片封裝結構

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810912905.4
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN110828539A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設計）人: 盧戰(zhàn)勇;張楠賡
• 申請（專利權）人: 北京嘉楠捷思信息技術有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李坤

1.一種晶片封裝結構，其特征在于，包括：

晶片，具有多個表面，所述多個表面中的至少一個表面形成有非平面結構。

2.如權利要求1所述的晶片封裝結構，所述非平面結構暴露于晶片封裝結構整體表面。

3.如權利要求1所述的晶片封裝結構，所述非平面結構內嵌于晶片封裝結構整體內部。

4.如權利要求1所述的晶片封裝結構，所述非平面結構通過以下工藝的其中一種形成：激光打孔工藝、干式刻蝕工藝、濕式刻蝕工藝。

5.如權利要求1所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述非平面結構包括至少一個盲孔、溝槽結構、至少一個凸起的任意一種，或者任意兩種以上的組合。

6.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述盲孔的深度介于150um至200um之間。

7.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述盲孔的數(shù)量為多個，相鄰盲孔之間的距離介于300um至500um之間。

8.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述盲孔的寬度介于50um-150um之間。

9.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述盲孔為圓孔、橢圓孔、方孔、條形孔、三角形孔、多邊形孔的至少一種。

10.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔呈現(xiàn)有序的分布。

11.如權利要求5所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔呈現(xiàn)無序的分布。

12.如權利要求10所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔呈現(xiàn)均勻的分布。

13.如權利要求10所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔呈現(xiàn)不均勻的分布。

14.如權利要求10所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔呈二維陣列排布，或圍成多圈同心圓。

15.如權利要求10所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述盲孔的軸線垂直于形成有所述非平面結構的表面，或與形成有所述非平面結構的表面的夾角為銳角或鈍角。

16.如權利要求14所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔圍成多圈同心圓，沿遠離同心圓圓心方向，各圈同心圓的盲孔數(shù)量逐漸增大，盲孔的橫截面的尺寸逐漸減小，所述橫截面是指平行于形成有所述非平面結構的表面的橫截面。

17.如權利要求14所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述至少一個盲孔圍成多圈同心圓，各圈同心圓的盲孔數(shù)量相同。

18.如權利要求1所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述溝槽結構包括至少一組溝槽，每組溝槽包括多個溝槽。

19.如權利要求18所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述溝槽結構包括一組溝槽。

20.如權利要求19所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述多個溝槽相互平行。

21.如權利要求20所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述多個溝槽沿晶片的邊長方向延伸。

22.如權利要求18所述的晶片封裝結構，其特征在于，所述溝槽結構包括多組溝槽。