[發明專利]制造半導體器件的方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201810911580.8
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109585555B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 余紹銘;李東穎;云惟勝;楊富祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底上方形成具有第一組成的第一半導體層；

在所述第一半導體層上方形成具有第二組成的第二半導體層；

在所述第二半導體層上方形成具有所述第一組成的另一第一半導體層；

在所述另一第一半導體層上方形成具有第三組成的第三半導體層；

圖案化所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層以形成鰭結構；

去除所述第三半導體層的部分，從而形成包括所述第二半導體層的納米線，在所述去除期間，所述第一半導體層被保留，并且比所述第二半導體層對用于去除所述第三半導體層的蝕刻劑具有高抵抗力；以及

形成圍繞所述納米線的導電材料，

其中，所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層包括不同的材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，通過按順序重復形成所述第一半導體層、形成所述第二半導體層、形成所述另一第一半導體層以及形成所述第三半導體層來形成所述第一半導體層、所述第二半導體層、所述另一第一半導體層和所述第三半導體層的交替堆疊件。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在去除所述第三半導體層的部分之前，在所述鰭結構上方形成犧牲柵極結構。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在去除所述第三半導體層的部分之前，去除所述鰭結構的未由所述犧牲柵極結構覆蓋的部分，從而形成源極/漏極間隔。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括，在所述源極/漏極間隔中形成源極/漏極區域。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括，當形成所述納米線時，去除所述半導體襯底的部分。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第三半導體層和所述半導體襯底由相同的材料形成。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述相同的材料是硅。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體材料是Si_1-xGe_x，并且所述第二半導體材料是Si_1-yGe_y，其中，xy，0.3≤x≤0.9并且0.1≤y≤0.5。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底上方形成鰭結構，其中，第一半導體層A、第二半導體層B和第三半導體層C以重復序列ABAC堆疊，

其中，所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述第三半導體層包括不同的材料；

形成犧牲柵極結構，所述犧牲柵極結構限定所述鰭結構上方的柵極區域；

從所述鰭結構的未由所述犧牲柵極結構覆蓋的源極/漏極區域去除所述第三半導體層；

在所述源極/漏極區域中形成源極/漏極外延層；

去除所述犧牲柵極結構；

從所述柵極區域去除所述第三半導體層，在所述去除第三半導體層期間，所述第一半導體層被保留，并且比所述第二半導體層對用于去除所述第三半導體層的蝕刻劑具有高抵抗力；以及

在所述柵極區域中形成柵電極結構，其中，所述柵電極結構包裹環繞所述第一半導體層和所述第二半導體層。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括，當去除所述第三半導體層時，去除所述半導體襯底的部分。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第三半導體層和所述半導體襯底由相同的材料形成。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述相同的材料是IV族元素。