[發明專利]RF開關芯片電極外設的多腔室封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201810910240.3
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN108766955A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 付偉
• 申請（專利權）人: 付偉
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L25/00;H01L21/52
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發明揭示了一種RF開關芯片電極外設的多腔室封裝結構及其制作方法，封裝結構包括：封裝基板，具有間隔分布的第一、第二、第三腔室；第一濾波器芯片，位于第一腔室，具有第一電極；第二濾波器芯片，位于第二腔室，具有第二電極；放大器芯片，位于第三腔室，具有第三電極；RF開關芯片，設置于封裝基板的上方，具有第四電極；第一、第二電極位于同側，第三電極位于相對側，互連結構導通第一、第二、第三、第四電極。本發明將多個芯片封裝于同一封裝基板，可以實現多芯片的高度集成；濾波器芯片、放大器芯片及RF開關芯片呈上下分布，提高封裝基板的利用率，簡化互連結構；濾波器芯片及放大器芯片內嵌設置于腔室中，使得封裝結構更加輕薄。

技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種RF開關芯片電極外設的多腔室封裝結構及其制作方法。

背景技術

為迎合電子產品日益輕薄短小的發展趨勢，濾波器與射頻發射組件、接收組件需要被高度集成在有限面積的封裝結構中，形成系統級封裝(SystemInPackage，SIP)結構，以減小硬件系統的尺寸。

對于系統級封裝結構中的濾波器與射頻前端模塊封裝整合技術，業內仍存在相當多的技術問題亟需解決，例如，濾波器的保護結構、多個芯片之間的連接結構、多個芯片的布局等等。

發明內容

本發明的目的在于提供一種RF開關芯片電極外設的多腔室封裝結構及其制作方法。

為實現上述發明目的之一，本發明一實施方式提供一種RF開關芯片電極外設的多腔室封裝結構，包括：

封裝基板，具有相對設置的基板上表面及基板下表面，且所述封裝基板具有間隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室；

第一濾波器芯片，位于所述第一腔室，所述第一濾波器芯片具有相對設置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面與所述基板上表面位于同側，且所述第一上表面具有若干第一電極；

第二濾波器芯片，位于所述第二腔室，所述第二濾波器芯片具有相對設置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面與所述基板上表面位于同側，且所述第二上表面具有若干第二電極；

放大器芯片，位于所述第三腔室，所述放大器芯片具有相對設置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面與所述基板上表面位于同側，且所述第三上表面具有若干第三電極；

RF開關芯片，設置于所述封裝基板的上方，所述RF開關芯片具有相對設置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面與所述基板上表面面對面設置，且所述第四上表面具有若干第四電極；

若干互連結構，用于導通若干第一電極、若干第二電極、若干第三電極及若干第四電極。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述基板下表面的一側具有若干外部引腳，所述封裝基板具有若干通孔，所述互連結構通過所述通孔而導通若干第一電極、若干第二電極、若干第三電極及若干外部引腳。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述互連結構包括電鍍層結構及引線，所述電鍍層結構導通所述第一電極、所述第二電極及所述第三電極，且所述電鍍層結構通過所述通孔延伸至所述封裝基板的下方而導通所述外部引腳，所述引線用于導通所述第四電極及所述電鍍層結構。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述電鍍層結構包括相互導通的上重布線層、中間布線層及下重布線層，所述上重布線層位于所述封裝基板的上方并導通所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極及所述引線，所述下重布線層位于所述封裝基板的下方并導通所述外部引腳，所述中間布線層包括相連的位于所述基板上表面的第一電鍍層、位于所述通孔內壁的第二電鍍層及位于所述基板下表面下方的第三電鍍層，所述第一電鍍層連接所述上重布線層，所述第三電鍍層連接所述下重布線層。