[發(fā)明專利]一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810909902.5
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN109148265A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 厲文斌;趙穎;鄭正明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/311;H01L31/18
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于包括以下步驟：

a）預(yù)清洗：采用清洗液對(duì)硅片進(jìn)行與清洗去除有機(jī)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)，清洗溫度為50～60℃，清洗時(shí)間2～5分鐘，完成后用水沖洗；

b）清洗：將經(jīng)步驟a）處理后的硅片在高濃度堿性液中浸漬3～5分鐘去除損傷層，溫度為50～60℃，完成后用水沖洗；

c）氧化層去除：將經(jīng)步驟b）處理后的硅片在氫氟酸-鹽酸混合液中浸漬50～70秒去除氧化層和殘余堿，完成后用水沖洗；

d）干燥。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟a）中的清洗液由氫氧化鈉溶液、過氧化氫和水按體積比1：（1～2.5）：（4～7）組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟a）中的清洗液由氫氧化鈉溶液、過氧化氫和水按體積比1：1：6組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述氫氧化鈉溶液為質(zhì)量濃度為35～45%的氫氧化鈉溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟b）中的高濃度堿性液為質(zhì)量濃度為15～30%的氫氧化鈉溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟b）中的高濃度堿性液為質(zhì)量濃度為20%的氫氧化鈉溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟b）中去除的損傷層單層厚度為18～22微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟c）中氫氟酸-鹽酸混合液由氫氟酸、鹽酸和水按體積比1：（1.5～2.5）：（10～14）制得，其中氫氟酸的濃度為40～49vol%，鹽酸的濃度為35～37vol%。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能多晶RIE制備黑硅前的清洗工藝，其特征在于：

所述步驟d）具體為采用甩干機(jī)甩干。