[發明專利]納秒脈沖電場在提高細胞干性中的用途

在審

• 申請號: 201810909901.0
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN110819619A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 葛子鋼;寧通;張玨;陳佳青;國晉菘;李可佳
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: C12N13/00
• 分類號: C12N13/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 彭鯤鵬

1.電場在增強細胞干性、提高細胞干性基因表達量、降低細胞甲基化相關基因表達量和/或降低細胞甲基化水平中的用途，優選的，所述電場為納秒脈沖電場(nanosecondpulsed electric fields，nsPEFs)。

2.根據權利要求1所述的用途，其中所述電場被施加于細胞從而對細胞進行電擊。

3.根據權利要求1或2的用途，其中所述細胞為干細胞，優選為多能干細胞、單能干細胞、胚胎干細胞、成體干細胞、iPS或間充質干細胞。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的用途，其中所述納秒脈沖電場的脈寬在1-300ns之間和/或場強在1kV/cm-30kV/cm之間；優選的脈寬范圍在10ns-150ns、20ns-100ns、30ns-80ns、40ns-70ns、50-60ns之間，例如1ns、2ns、3ns、4ns、5ns、6ns、7ns、8ns、9ns、10ns、15ns、20ns、25ns、30ns、35ns、40ns、45ns、50ns、55ns、60ns、65ns、70ns、75ns、80ns、85ns、90ns、95ns、100ns、105ns、110ns、115ns、120ns、125ns、130ns、135ns、140ns、145ns、150ns、155ns、160ns左右；優選的場強為1kV/cm、2kV/cm、3kV/cm、4kV/cm、5kV/cm、6kV/cm、7kV/cm、8kV/cm、9kV/cm、10kV/cm、11kV/cm、12kV/cm、13kV/cm、14kV/cm、15kV/cm、16kV/cm、17kV/cm、18kV/cm、19kV/cm、20kV/cm、21kV/cm、22kV/cm、23kV/cm、24kV/cm、25kV/cm、26kV/cm、27kV/cm、28kV/cm、29kV/cm、30kV/cm左右。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的用途，其中所述電擊的次數為1-1000次，例如10-900次、20-800次、30-700次、40-600次、50-500次、60-400次、70-300次、80-200次、90-100次，具體如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、30、40、50、60、70、80、90和100次；和/或所述電擊的頻率為1-1000Hz，例如10-900Hz、20-800Hz、30-700Hz、40-600Hz、50-500Hz、60-400Hz、70-300Hz、80-200Hz、90-100Hz，具體如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、30、40、50、60、70、80、90、100Hz、200Hz、300Hz、400Hz、500Hz、600Hz、700Hz、800Hz、900Hz、1000Hz左右。

6.一種增強細胞干性、提高細胞干性基因表達量、降低甲基化基因表達量和/或降低細胞甲基化水平的方法，其中包括將電場施加于細胞從而對細胞進行電擊的步驟，所述電場優選為納秒脈沖電場；

所述細胞優選為干細胞，更優選為多能干細胞、單能干細胞、胚胎干細胞、成體干細胞、IPS或間充質干細胞。