[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池及其制作方法、太陽(yáng)能電池組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810909814.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108717949A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張繼凱;程曉龍;朱偉;李平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 漢能移動(dòng)能源控股集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0216 | 分類號(hào)： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100107 北京市朝陽(yáng)*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽(yáng)能電池 太陽(yáng)能電池組件 制作 太陽(yáng)能電池芯片 增透膜 光伏發(fā)電 光線反射 光線顏色 光伏 反射 申請(qǐng) 應(yīng)用 | ||
1.一種太陽(yáng)能電池，包括：太陽(yáng)能電池芯片，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成有增透膜，所述增透膜用于控制不同光線反射角度所反射的光線顏色。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述增透膜的帶寬為500nm～780nm或380nm～580nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池還包括絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層位于所述增透膜和所述太陽(yáng)能電池芯片之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池還包括絕緣保護(hù)層，所述增透膜位于所述絕緣保護(hù)層和所述太陽(yáng)能電池芯片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述絕緣保護(hù)層為無(wú)機(jī)保護(hù)層或有機(jī)保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面包括引線形成區(qū)域和著色形成區(qū)域；所述增透膜和所述絕緣保護(hù)層均位于所述著色形成區(qū)域內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述引線形成區(qū)域?yàn)樯咝我€形成區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片包括兩個(gè)電極層，以及形成在所述兩個(gè)電極層之間的光電材料層；至少一個(gè)電極層含有電池緩沖子層；所述增透膜位于所述含有電池緩沖子層的電極層的背離所述光電材料層的表面上。
9.一種太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一太陽(yáng)能電池芯片；
在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成增透膜，所述增透膜用于控制不同光線反射角度所反射的光線顏色。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面包括引線形成區(qū)域和著色形成區(qū)域；所述提供一太陽(yáng)能電池芯片后，所述在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成增透膜前，所述太陽(yáng)能電池的制作方法還包括：
采用掩膜工藝在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面的著色形成區(qū)域形成絕緣保護(hù)層；
所述在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成增透膜包括：
采用掩膜工藝在所述絕緣保護(hù)層背離著色形成區(qū)域的表面形成增透膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面包括引線形成區(qū)域和著色形成區(qū)域；所述在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成增透膜包括：
采用掩膜工藝在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面的著色形成區(qū)域形成增透膜；
所述在所述太陽(yáng)能電池芯片的至少一個(gè)表面上方形成增透膜后，所述太陽(yáng)能電池的制作方法還包括：
采用掩膜工藝在所述增透膜背離著色形成區(qū)域的表面形成絕緣保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述掩膜工藝所使用的掩膜板包括鏤空部和遮光部；所述遮光部為與所述引線形成區(qū)域相匹配的蛇形遮光部；其中，
所述遮光部在所述太陽(yáng)能電池表面的正投影位于所述引線形成區(qū)域，所述鏤空部在所述太陽(yáng)能電池表面的正投影位于所述著色形成區(qū)域。
13.一種太陽(yáng)能電池組件，其特征在于，包括權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
