[發明專利]帶有延伸雙圍堰及金屬層的芯片封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201810909370.5
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109037425A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 付偉
• 申請（專利權）人: 付偉
• 主分類號: H01L41/053
• 分類號: H01L41/053;H01L41/047;H01L41/23;H01L41/29
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種帶有延伸雙圍堰及金屬層的芯片封裝結構，其特征在于，包括：

封裝基板，具有相對設置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一側具有若干外部引腳，所述封裝基板具有若干通孔；

濾波器芯片，具有相對設置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設置，所述芯片下表面具有若干電極；

若干金屬層結構，穿過若干通孔并導通若干電極及若干外部引腳；

圍堰，包括位于若干通孔內側的第一圍堰及位于若干通孔外側的第二圍堰，所述第一圍堰與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層結構包括金屬層及導通所述金屬層及所述電極的電鍍種子層，所述金屬層結構充填所述通孔內部區域并延伸至所述基板下表面。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層結構的上表面與所述電極的下表面之間為全接觸，且所述電鍍種子層與所述金屬層的外輪廓相互匹配。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層結構靠近所述空腔的一側連接所述第一圍堰，所述金屬層結構遠離所述空腔的一側連接所述第二圍堰。

5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬層結構的上表面面積小于所述電極的表面面積。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，若干通孔圍設形成的內輪廓連接所述第一圍堰，若干通孔圍設形成的外輪廓連接所述第二圍堰，所述第一圍堰與所述第二圍堰相互連通。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第二圍堰朝遠離所述第一圍堰的方向延伸直至所述第二圍堰的外側緣與所述封裝基板的外側緣齊平。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括位于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側的塑封層，所述塑封層同時包覆所述第二圍堰暴露在外的上表面區域及所述濾波器芯片，且所述封裝結構還包括設置于所述基板下表面且暴露出所述外部引腳的防焊層。

9.一種帶有延伸雙圍堰及金屬層的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括步驟：

S1：提供濾波器芯片，其具有相對設置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面具有若干電極；

S2：提供封裝基板，其具有相對設置的基板上表面及基板下表面；

S3：于所述封裝基板上形成若干通孔；

S4：于所述基板上表面形成圍堰，所述圍堰包括位于若干通孔內側的第一圍堰及位于若干通孔外側的第二圍堰；

S5：將所述濾波器芯片組裝至所述封裝基板，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設置，所述第一圍堰位于若干通孔的內側，所述第二圍堰位于若干通孔的外側，且所述第一圍堰與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔；

S6：形成導通所述電極的金屬層結構，所述金屬層結構的至少部分通過所述通孔；

S7：于所述金屬層結構下方形成外部引腳。

10.根據權利要求9所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，步驟S6、S7具體包括：

于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側形成塑封層，所述塑封層同時包覆所述第二圍堰暴露在外的上表面區域及所述濾波器芯片，若干電極對準若干通孔；

沿著所述基板下表面、所述通孔內壁及所述電極形成連續的電鍍種子層；

于所述電鍍種子層的下方形成第二光刻膠層，并于所述第二光刻膠層曝光和顯影形成若干第二孔洞，所述第二孔洞暴露所述通孔及電鍍種子層；

于若干第二孔洞內電鍍填充金屬層；

去除第二光刻膠層；

去除暴露在外的電鍍種子層；

于基板下表面形成防焊層，所述防焊層同時包覆所述基板下表面及所述金屬層；

于所述防焊層曝光和顯影形成若干第三孔洞，所述第三孔洞暴露出所述金屬層；

于若干第三孔洞內形成球柵陣列。