[發明專利]密封的半導體發光器件

有效

• 申請號: 201810908784.6
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN109994586B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 雷繼譜;S.施亞夫菲諾;A.H.尼克
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/38;H01L33/52;H01L33/62;H01L21/56;H01L21/683;H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;陳嵐

1.一種器件，包括：

半導體結構，所述半導體結構包括布置在n型區和p型區之間的Ⅲ族氮化物發光層；

金屬層，所述金屬層具有形成在其中并且填充有絕緣材料的開口，所述開口將金屬層分離成從第二部分電氣隔離的第一部分，第一部分耦合到n型區并且第二部分耦合到p型區；

多個導電堆疊，每一個導電堆疊的第一表面接觸金屬層的與半導體結構相對的表面，在每一個導電堆疊之間定位相應間隙；以及

與每一個導電堆疊的與第一表面相對的第二表面直接接觸的主體，

其中導電堆疊之間的間隙填充有環境氣體，每個間隙的底部包括不可被導電堆疊潤濕的表面。

2.權利要求1的器件，其中絕緣材料完全覆蓋半導體結構的所有暴露表面。

3.權利要求1的器件，其中將金屬層鍵合到所述多個導電堆疊。

4.權利要求1的器件，其中主體包括形成在其中的多個通孔，所述多個通孔中的每一個與所述多個導電堆疊中的一個對準。

5.權利要求4的器件，其中每一個通孔裝襯有導電材料，所述導電材料還裝襯主體的不鄰近所述多個導電堆疊的外表面。

6.權利要求5的器件，其中裝襯每一個通孔的導電材料耦合到所述多個導電堆疊中的相應一個。

7.權利要求1的器件，其中每一個導電堆疊包括多種不同導電材料的堆疊。

8.權利要求1的器件，其中每一個導電堆疊包括依次堆疊的銅層、鎳層和金/錫共融合金層。

9.權利要求1的器件，其中導電堆疊以及金屬層的第一和第二部分全部具有相同形狀。

10.權利要求1的器件，其中導電堆疊以及金屬層的第一和第二部分具有不同形狀。

11.權利要求1的器件，其中相對的導電堆疊以及金屬層的第一或第二部分未精確對準。