[發(fā)明專利]一種可降低電子逃逸率的離子源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810908015.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109065429B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王鳴;陳剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都極星等離子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J27/14 | 分類號(hào): | H01J27/14 |
| 代理公司: | 成都樂(lè)易聯(lián)創(chuàng)專利代理有限公司 51269 | 代理人: | 高煒麗 |
| 地址: | 610000 四川省成都市溫江區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 降低 電子 逃逸 離子源 | ||
1.一種可降低電子逃逸率的離子源,包括陽(yáng)極環(huán)、內(nèi)陰極和外陰極,陽(yáng)極環(huán)位于內(nèi)陰極與外陰極之間,其特征在于:所述陽(yáng)極環(huán)、內(nèi)陰極和外陰極均為軸對(duì)稱結(jié)構(gòu),外陰極的磁軛中部固定有軟磁柱,軟磁柱一端穿過(guò)陽(yáng)極環(huán)的內(nèi)孔中心并與內(nèi)陰極的中部連接,所述內(nèi)陰極的磁極靴上任意一處的縱截面形狀均與對(duì)應(yīng)處外陰極的磁極靴縱截面形狀互為鏡像對(duì)稱,且內(nèi)陰極的磁極靴與外陰極的磁極靴之間形成環(huán)形的陰極縫隙,所述陽(yáng)極環(huán)正對(duì)于陰極縫隙的下方,所述外陰極的磁軛上設(shè)置有兩塊永磁體,兩塊永磁體關(guān)于軟磁柱對(duì)稱,且兩塊永磁體分別位于陽(yáng)極環(huán)上相對(duì)兩側(cè)的正下方;
所述內(nèi)陰極的磁極靴與外陰極的磁極靴相互靠近的端部均呈圓弧型,且圓弧的半徑不大于2mm;
所述內(nèi)陰極與外陰極的磁極靴端部均加工有上反角和下反角,上反角的角度與下反角的角度一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可降低電子逃逸率的離子源,其特征在于:所述內(nèi)陰極與外陰極均采用軟磁材料制作,且內(nèi)陰極的磁極靴以及外陰極的磁極靴均采用雜質(zhì)含量低于0.02%的純鐵材料制作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可降低電子逃逸率的離子源,其特征在于:所述內(nèi)陰極的磁極靴以及外陰極的磁極靴上均鍍有一層保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可降低電子逃逸率的離子源,其特征在于:所述保護(hù)層為鉻層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可降低電子逃逸率的離子源,其特征在于:所述上反角的角度范圍為30~45°。
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