[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810907542.5
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109860293B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 王朝勛;薛婉容;趙高毅;王美勻
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;宋洋

1.半導體裝置的制造方法，包括：

在一基底之上沉積一第一介電層，其中該基底包含一柵極結構具有一金屬柵極層；

在該第一介電層中形成一開口，以露出相鄰于該柵極結構的該基底的一部分，并且在該開口內沉積一第一金屬層；

在該第一介電層之上和該第一金屬層之上沉積一第二介電層；

蝕刻該第一介電層和該第二介電層，以形成一柵極導孔的開口，其中該柵極導孔的開口露出該柵極結構的該金屬柵極層；

移除該第二介電層的一部分，以形成一接觸件開口，該接觸件開口露出該第一金屬層，其中該柵極導孔的開口和該接觸件開口合并以形成一復合開口；以及

在該復合開口內沉積一第二金屬層，其中該第二金屬層經由該第二金屬層的一柵極導孔部分，電性連接該柵極結構的該金屬柵極層至該第一金屬層，其中該第二金屬層是與該柵極結構的側壁上的側壁間隔物分隔開來。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

在沉積該第一金屬層之后和沉積該第二介電層之前，在該基底之上沉積一接觸蝕刻停止層，且在該接觸蝕刻停止層上沉積該第二介電層。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

蝕刻該第一介電層、該接觸蝕刻停止層和該第二介電層，以形成該柵極導孔的開口。

4.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

移除該第二介電層的該部分和該接觸蝕刻停止層的一部分，以形成該接觸件開口，該接觸件開口露出該第一金屬層。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

在該第一介電層中形成該開口之后和沉積該第一金屬層之前，在該基底的該露出的部分上形成一硅化物層，該露出的部分相鄰于該柵極結構；以及

在該硅化物層之上沉積該第一金屬層。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括：

在沉積該第一金屬層之后，進行一化學機械研磨工藝，其中該化學機械研磨工藝將該半導體裝置的頂面平坦化，且其中該第一介電層的一部分在進行該化學機械研磨工藝之后保留。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一介電層和該第二介電層包含一層間介電層。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中相鄰于該柵極結構的該基底的露出部分包含一源極區、一漏極區或一本體接觸區。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該柵極導孔的開口對齊該柵極結構的該金屬柵極層。

10.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中該第二金屬層電性連接該柵極結構的該金屬柵極層至該第一金屬層，且其中該第一金屬層電性連接至該源極區、該漏極區或該本體接觸區。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一第一金屬層，該第一金屬層鄰接于一柵極結構的一側壁，其中該第一金屬層接觸位于該第一金屬層下方的一基底的一區，且其中該柵極結構包含一金屬柵極；

在該基底之上沉積一第一介電層；

蝕刻在該柵極結構之上的一區中的該第一介電層，以形成一柵極導孔的開口，其中該柵極導孔的開口露出該柵極結構的該金屬柵極；

蝕刻在該第一金屬層之上的一區中的該第一介電層，以形成一接觸件導孔的開口，其中該接觸件導孔的開口露出該第一金屬層；

從該柵極導孔的開口與該接觸件導孔的開口之間的一區移除該第一介電層，以形成一接觸件開口，其中該接觸件開口、該柵極導孔的開口和該接觸件導孔的開口合并，以形成一復合開口；以及

在該復合開口內形成一第二金屬層，經由該第二金屬層的一柵極導孔部分和一接觸件導孔部分，電性連接該柵極結構的該金屬柵極至該第一金屬層。