[發明專利]用于通信系統收發器接口的設備

有效

• 申請號: 201810905265.4
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109390334B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: J·A·塞爾瑟多;何林峰
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.集成電路器件，包括：

第一雙極結型晶體管(BJT)；

第二雙極結型晶體管，與所述第一雙極結型晶體管交叉耦合以作為第一半導體可控整流器(SCR)操作，其中所述第一雙極結型晶體管的基極連接到所述第二雙極結型晶體管的集電極，并且所述第二雙極結型晶體管的基極連接到所述第一雙極結型晶體管的發射極或集電極；

觸發裝置，包括第一觸發裝置，所述第一觸發裝置被配置用于提供觸發電流到所述第一雙極結型晶體管的基極；和

第三雙極結型晶體管，與第二雙極結型晶體管交叉耦合以作為第二半導體可控整流器操作，其中所述第三雙極結型晶體管具有連接到所述第二雙極結型晶體管的基極的集電極和連接到所述第二雙極結型晶體管的集電極的基極，

其中所述第一雙極結型晶體管、第二雙極結型晶體管和第三雙極結型晶體管以及所述觸發裝置形成在共同基板中。

2.權利要求1所述的集成電路器件，還包括被配置作為所述第一雙極結型晶體管的基極的第一類型的第一阱，其中所述第一類型的第一阱插入在被配置作為所述第一雙極結型晶體管的集電極的第二類型的第一阱和被配置作為所述第一雙極結型晶體管的發射極的第二類型的第二阱之間，其中所述第一類型的第一阱還在其中形成第二類型的第一重度摻雜區域。

3.權利要求2所述的集成電路器件，其中所述第一觸發裝置通過所述第二類型的第一重度摻雜區域連接到所述第一雙極結型晶體管的基極。

4.權利要求2所述的集成電路器件，還包括形成在半導體基板上方的多個金屬化層，在所述半導體基板中形成所述第一雙極結型晶體管、第二雙極結型晶體管、第三雙極結型晶體管和觸發裝置，其中所述第一觸發裝置通過金屬化層中的一個或多個電連接到所述第一雙極結型晶體管的基極。

5.權利要求2所述的集成電路器件，其中所述第二類型的第一阱還被配置作為所述第二雙極結型晶體管的基極，其中所述第二雙極結型晶體管的基極形成在第一類型的第一重度摻雜區域和第一類型的深阱之間，該第一類型的第一重度摻雜區域形成在所述第二類型的第一阱中并且被配置作為第二雙極結型晶體管的發射極，并且所述第一類型的深阱形成在所述第二類型的第一阱下并被配置作為第二雙極結型晶體管的集電極。

6.權利要求1所述的集成電路器件，還包括第一端子(T1)和第二端子(T2)，其中第一半導體可控整流器被配置為雙向半導體可控整流器，其包括電連接到第一端子(T1)的陰極/陽極(K/A)和電連接到第二端子(T2)的陽極/陰極(A/K)，其中所述集成電路器件被配置為響應于在第一端子(T1)和第二端子(T2)之間接收的電過應力信號而激活。

7.權利要求6所述的集成電路器件，其中所述觸發裝置包括第一二極管和第二二極管，所述第一二極管的陰極電連接到所述第一雙極結型晶體管的基極，所述第二二極管的陰極電連接到所述第一雙極結型晶體管的基極，并且其中所述第一二極管的陽極電連接到第一端子(T1)，以及其中所述第二二極管的陽極電連接到第二端子(T2)。

8.權利要求7所述的集成電路器件，還包括第四雙極結型晶體管，其與第二雙極結型晶體管交叉耦合以作為第三半導體可控整流器操作，其中所述第四雙極結型晶體管具有連接到所述第二雙極結型晶體管的基極的集電極和連接到所述第二雙極結型晶體管的集電極的基極。

9.權利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一觸發裝置包括觸發二極管或觸發雙極結型晶體管中的至少一個。

10.權利要求9所述的集成電路器件，還包括第一類型的第一阱，其被配置作為所述第一雙極結型晶體管的基極，其中所述第一類型的第一阱插入在被配置作為所述第一雙極結型晶體管的集電極的第二類型的第一阱和被配置作為所述第一雙極結型晶體管的發射極的第二類型的第二阱之間，其中所述第二類型的第一阱還包括共同連接到所述集成電路器件的端子的第一類型的重度摻雜區域和第二類型的重度摻雜區域。