[發明專利]一種無金屬催化黑硅的制備方法有效
| 申請號： | 201810903037.3 | 申請日： | 2018-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN109244178B | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 杜歡;吳兢;趙興國 | 申請（專利權）人： | 江蘇輝倫太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210061 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 催化 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：具體操作如下，
在硅片表面涂覆硬脂酸根-金屬離子，然后在高溫下進行煅燒，十八烷基酯在高溫下分解從而破壞十八烷基的碳鏈，最終在硅片表面形成細密而均勻的金屬分布；再將煅燒后的硅片進行鉆孔刻蝕、清洗、表面結構再處理，得到黑硅結構；鉆孔刻蝕所用刻蝕液為氫氟酸、雙氧水、DI純水的混合溶液。
2.根據權利要求1所述的無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：所述硬脂酸根-金屬離子的金屬為銅。
3.根據權利要求1所述的無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：所述硬脂酸根-金屬離子的金屬是金、銀、鐵、鉑、鎳、鎘、鋅中的一種。
4.根據權利要求1所述的無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：所述硅片表面涂覆硬脂酸根-金屬離子，使用旋涂機，利用旋涂法完成涂覆。
5.根據權利要求1所述的無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：所述高溫煅燒的溫度為400℃~1000℃，煅燒時間為5~50min。
6.根據權利要求1所述的無金屬催化黑硅的制備方法，其特征在于：最終得到的黑硅結構為半圓形孔狀結構，形成的孔洞直徑為200~1500nm，孔洞深度為100~1000nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
