[發(fā)明專利]腔室內襯、下電極裝置和半導體處理設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810902805.3
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN110828272B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 徐奎;陳鵬;張璐
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種腔室內襯，其特征在于，包括環(huán)本體和導電件；

所述環(huán)本體包括沿其厚度方向相對設置的第一表面和第二表面；

所述導電件內嵌于所述第二表面；并且，

所述環(huán)本體上設置有至少一個孔結構，所述孔結構能夠將所述第一表面與所述導電件連通；其中，

所述腔室內襯環(huán)設在基座的周向側壁處，所述導電件與所述基座電性接觸，以使等離子體中的電子經由所述導電件與射頻自偏壓測量模塊電連接。

2.根據權利要求1所述的腔室內襯，其特征在于，所述第二表面上設置有自所述第二表面向所述第一表面凹陷的安裝槽，所述導電件內嵌在所述安裝槽中。

3.根據權利要求1所述的腔室內襯，其特征在于，所述導電件的材質包括碳化硅或鎢。

4.根據權利要求1所述的腔室內襯，其特征在于，所述導電件的外周壁與所述環(huán)本體的外周壁之間具有預定的間隙d。

5.根據權利要求4所述的腔室內襯，其特征在于，所述預定的間隙d的取值范圍為5mm～20mm。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的腔室內襯，其特征在于，所述孔結構包括自所述第一表面向所述第二表面凹陷至暴露出所述導電件的直通孔。

7.根據權利要求6所述的腔室內襯，其特征在于，所述直通孔的直徑范圍為2mm～6mm。

8.一種下電極裝置，包括基座以及環(huán)設在所述基座的周向側壁的腔室內襯，其特征在于，所述腔室內襯包括權利要求1至7中任意一項所述的腔室內襯，所述導電件與所述基座電連接，所述第一表面朝向等離子體的入射方向，以使得所述孔結構能夠接收并引導所述等離子體至所述導電件。

9.根據權利要求8所述的下電極裝置，其特征在于，所述基座與所述導電件相對應的位置處設置有貼合槽，所述貼合槽用于安裝誘電線圈或導電彈簧。

10.一種半導體處理設備，包括下電極裝置，其特征在于，所述下電極裝置包括權利要求8或9所述的下電極裝置。