[發明專利]一種MEMS晶圓切割方法在審
| 申請號： | 201810902280.3 | 申請日： | 2018-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN108996470A | 公開（公告）日： | 2018-12-14 |
| 發明（設計）人： | 楊水長;甘先鋒;陳文禮;孫傳彬 | 申請（專利權）人： | 煙臺睿創微納技術股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 264006 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 結構釋放 晶圓背面 透明薄膜 激光 晶圓切割 切割過程 切割框架 晶圓級 貼附 切割 等離子體切割 晶圓加工 有效減少 打孔 硅渣 貼膜 薄膜 背面 保證 | ||
1.一種MEMS晶圓切割方法，其特征在于，所述方法包括：
對晶圓進行晶圓級結構釋放；
在進行結構釋放后的所述晶圓背面貼附透明薄膜，并將所述晶圓固定于切割框架；
利用激光從所述晶圓背面透過所述薄膜對所述晶圓進行隱形激光切割。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用隱形激光從所述晶圓背面透過所述薄膜進行切割之后，所述方法還包括：
使用擴膜機對貼附有所述薄膜的所述晶圓進行擴膜；
通過擴晶環固定擴膜后的所述晶圓。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜為無色透明的UV膜。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過擴晶環固定擴膜后的所述晶圓之后，所述方法還包括：
利用UV照射機從所述晶圓背面照射所述UV膜，以對所述晶圓進行解UV。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用隱形激光從所述晶圓背面透過所述薄膜進行切割之后，所述方法還包括：
通過裂片裝置將所述晶圓裂開。
6.根據權利要求1至5任一項權利要求所述的方法，其特征在于，在所述對晶圓進行晶圓級結構釋放之前，所述方法還包括：
沿所述晶圓正面預設的切割道從所述晶圓正面對所述晶圓進行半切割；
所述利用隱形激光從所述晶圓背面透過所述薄膜對所述晶圓進行切割包括：
利用隱形激光切割設備，從所述晶圓背面透過所述薄膜沿所述切割道對所述晶圓進行隱形激光切割。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述沿所述晶圓正面預設的切割道從所述晶圓正面對所述晶圓進行半切割包括：
利用刀片沿所述晶圓正面預設的所述切割道從所述晶圓正面對所述晶圓進行半切割。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述沿所述晶圓正面預設的切割道從所述晶圓正面對所述晶圓進行半切割之前，所述方法還包括：
在所述晶圓正面設置保護膠膜。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圓正面設置保護膠膜包括：
在所述晶圓正面涂覆光刻膠。
10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述沿所述晶圓正面預設的切割道從所述晶圓正面對所述晶圓進行半切割之前，所述方法還包括：
對所述晶圓背面進行減薄。
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