[發明專利]用于形成圖形的方法

有效

• 申請號: 201810902078.0
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN110828301B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 吳晗
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李冬梅

1.一種用于形成圖形的方法，其特征在于，該方法包括：

提供一襯底，該襯底上設置有硬掩膜層；

在所述硬掩膜層上涂覆光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光和顯影，以形成凸點狀圖形陣列，該凸點狀圖形陣列包括多個重復單元區，每個重復單元區被定義為從垂直于所述襯底的表面的縱向觀察由三個或三個以上凸點圖形為邊角點圍成的多邊形區域；

在所述凸點圖形和所述硬掩膜層上沉積一自對準間隔層，所述自對準間隔層覆蓋所述凸點圖形的頂面和側面以及所述硬掩膜層的顯露上表面，并使所述自對準間隔層在所述重復單元區的中心處形成有一第一凹點圖形，通過自對準方式形成所述第一凹點圖形；所述自對準方式被設置為利用高階梯覆蓋率的沉積方法以及自對準間隔層的厚度不足，克服所述凸點圖形和所述硬掩膜層的高度差，自然形成所述第一凹點圖形；

刻蝕去除所述自對準間隔層覆蓋所述凸點圖形的頂面的部位，直至暴露出所述光刻膠層的所述凸點圖形，并在所述第一凹點圖形的底部暴露出所述硬掩膜層；

去除所述光刻膠層的所述凸點圖形，使所述自對準間隔層具有暴露出所述硬掩膜層的多個第二凹點圖形，所述第一凹點圖形位于多個所述第二凹點圖形的中心處；

經由所述自對準間隔層對所述硬掩膜層進行刻蝕以形成孔洞圖形，所述孔洞圖形位置對應于所述第一凹點圖形及所述第二凹點圖形；以及

去除所述自對準間隔層；

對所述第一凹點圖形進行刻蝕以擴大并修飾所述第一凹點圖形的開口尺寸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用濕法回蝕技術對所述第一凹點圖形進行刻蝕。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過控制回蝕的酸濃度和時間來控制所述第一凹點圖形的大小。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在擴大所述第一凹點圖形之后，所述自對準間隔層的上表面與所述光刻膠層的凸點圖形的頂面之間的距離與所述第一凹點圖形的底面與所述硬掩膜層的表面之間的距離相等。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述重復單元區由其中三個相鄰近的所述凸點圖形作為邊角點圍成的三角形。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述重復單元區由其中四個相鄰近的所述凸點圖形作為邊角點圍成的矩形。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述重復單元區由兩次曝光分別形成的凸點圖形作為邊角點圍成的六邊形。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述重復單元區由三次曝光分別形成的凸點圖形作為邊角點圍成的三角形。