[發明專利]加工腔室的清潔方法及等離子體加工裝置

有效

• 申請號: 201810902004.7
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109585247B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 廖敬丞;曾李全;吳常明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種加工腔室的清潔方法，包括：

將一加工氣體引入一加工腔室中，其中該加工腔室具有沿該加工腔室的多個側壁的一副產物；

利用一射頻信號由該加工氣體產生一等離子體；

將設置于該加工腔室的該多個側壁內的一下方電極連接至一第一電位；

以設置于該加工腔室中的一靜電吸盤基座支撐該下方電極和一靜電吸盤，其中該靜電吸盤基座將該加工腔室的一下方表面與該下方電極、該靜電吸盤垂直地分隔開；

同時對一側壁電極施加具有一第二電位的一偏壓，以促使對該副產物的離子轟擊，其中該第二電位的值大于該第一電位的值，當該側壁電極接地時，一射頻信號產生器連接至該下方電極以將該下方電極連接至該第一電位，且該第二電位介于負0.1伏特至負600伏特的范圍內；以及

從該加工腔室排出該加工氣體。

2.如權利要求1所述的加工腔室的清潔方法，還包括：

利用一蝕刻等離子體蝕刻一工件，其中透過該蝕刻等離子體使得從該工件剝落的一材料附著至該加工腔室的該多個側壁，以形成該副產物；以及

在將該加工氣體引入該加工腔室中之前，從該加工腔室移出該工件。

3.如權利要求1所述的加工腔室的清潔方法，其中該加工氣體包括氯或氧。

4.如權利要求1所述的加工腔室的清潔方法，其中該第一電位等同于接地。

5.如權利要求1所述的加工腔室的清潔方法，其中該副產物包括一惰性金屬。

6.如權利要求1所述的加工腔室的清潔方法，其中對該側壁電極施加該偏壓200秒至600秒。

7.一種等離子體加工裝置，包括：

一加工腔室，包括一下方電極，該下方電極排列于一靜電吸盤的一上表面下方，且位于該加工腔室的多個側壁之間，其中該靜電吸盤的該上表面是配制用于接收一工件；

一第一射頻功率產生器，電性連接至一射頻天線；

一側壁電壓產生器，電性連接至一側壁電極，其中該側壁電壓產生器輸出介于負0.1伏特至負600伏特的范圍內的負電壓；

一第二射頻功率產生器，電性連接至該下方電極，其中當該側壁電極接地時，該第二射頻功率產生器連接至該下方電極以輸出一射頻信號；以及

一靜電吸盤基座，將該加工腔室的一下方表面與該下方電極、該靜電吸盤垂直地分隔開。

8.如權利要求7所述的等離子體加工裝置，其中該側壁電極為該加工腔室的該多個側壁的其中之一。

9.如權利要求7所述的等離子體加工裝置，其中該側壁電壓產生器施加一直流電偏壓至該側壁電極，以促使對位于該加工腔室的該多個側壁的其中之一者之上的一非揮發性副產物的離子轟擊。

10.如權利要求7所述的等離子體加工裝置，其中該側壁電壓產生器包括一開關元件，該開關元件具有連接至一第一電位的一第一端子、以及連接至一電壓產生器的一第二端子。

11.如權利要求10所述的等離子體加工裝置，其中該側壁電極經由該加工腔室的該多個側壁的其中之一者與該靜電吸盤分隔。

12.如權利要求11所述的等離子體加工裝置，其中該第二射頻功率產生器包括一開關元件，該開關元件具有連接至該第一電位的一第一端子、以及連接至一射頻信號產生器的一第二端子。