[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810901981.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109037486A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 全威 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 劉偉;趙艷麗 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻隔層 有機(jī)電致發(fā)光二極管 顯示基板 陰極 非顯示區(qū)域 像素界定層 顯示器件 顯示區(qū)域 高度差 基底 制備 背離 金屬材料沉積 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn) 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 金屬薄膜 窄邊框 短路 良率 制作 斷裂 外圍 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域,所述有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板包括基底和設(shè)置在所述基底的表面上的像素界定層,所述像素界定層位于顯示區(qū)域,用于限定多個(gè)像素區(qū)域,其特征在于,所述有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板還包括圍設(shè)在所述顯示區(qū)域外圍的環(huán)狀的阻隔層,所述阻隔層靠近所述顯示區(qū)域設(shè)置;
所述阻隔層的背離所述基底的表面的至少一部分高于所述像素界定層的背離所述基底的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層與所述像素界定層為同層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層與所述像素界定層為一體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層的背離所述基底的表面為凹凸結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層的背離所述基底的表面具有至少一個(gè)環(huán)狀的凸起結(jié)構(gòu),所述凸起結(jié)構(gòu)環(huán)繞在所述顯示區(qū)域的外圍,所述凸起結(jié)構(gòu)的背離所述基底的表面高于所述像素界定層的背離所述基底的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層的背離所述基底的表面具有至少兩個(gè)環(huán)狀的凸起結(jié)構(gòu),從靠近所述顯示區(qū)域的一側(cè)到背離所述顯示區(qū)域的一側(cè),所述至少兩個(gè)凸起結(jié)構(gòu)的背離所述基底的表面的高度呈逐漸減小的趨勢(shì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板,其特征在于,所述阻隔層的背離所述基底的表面具有多個(gè)凸起塊,所述多個(gè)凸起塊間隔分布在所述顯示區(qū)域的外圍,所述凸起塊的背離所述基底的表面高于所述像素界定層的背離所述基底的表面。
8.一種顯示器件,其特征在于,包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板。
9.一種權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示基板的制作方法,包括:
在一基底的表面上形成像素界定層,所述像素界定層位于顯示區(qū)域,用于限定多個(gè)像素區(qū)域;
其特征在于,所述制作方法還包括:
在所述顯示區(qū)域的外圍形成環(huán)狀的阻隔層,所述阻隔層圍設(shè)在所述顯示區(qū)域的外圍,且所述阻隔層靠近所述顯示區(qū)域設(shè)置;
其中,所述阻隔層的背離所述基底的表面的至少一部分高于所述像素界定層的背離所述基底的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法,其特征在于,具體利用同一薄膜形成所述像素界定層和阻隔層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





