[發(fā)明專利]天線模塊和天線裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810901516.1 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109962332B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金楠基;柳正基;張勝九;金尚顯 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/28;H01Q19/10;H01L23/66 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 汪喆;錢海洋 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 天線 模塊 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種天線模塊和天線裝置,所述天線模塊包括連接構(gòu)件、位于所述連接構(gòu)件的第一表面上的集成電路(IC)以及設(shè)置在所述連接構(gòu)件的第二表面上的天線封裝件。所述連接構(gòu)件包括布線層和絕緣層。所述IC電連接到所述布線層。所述天線封裝件包括第一天線構(gòu)件和饋電過孔,所述饋電過孔均電連接到所述第一天線構(gòu)件中的對應(yīng)第一天線構(gòu)件以及布線層中的對應(yīng)布線。饋電線電連接到所述布線層中的布線并且在所述第二表面的側(cè)方向上延伸,第二天線構(gòu)件電連接到所述饋電線并被構(gòu)造為在所述側(cè)方向上發(fā)送和/或接收RF信號,導(dǎo)向構(gòu)件在所述側(cè)方向上與所述第二天線構(gòu)件分開,并且具有相對于所述第二天線構(gòu)件傾斜的內(nèi)邊界。
本申請要求于2017年12月26日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2017-0179223號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益,出于所有目的,該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及一種天線模塊和天線裝置。
背景技術(shù)
近來,已經(jīng)積極研究包括第五代(5G)通信的毫米波(mmWave)通信,并且正在積極進行能夠一致地實現(xiàn)毫米波通信的天線模塊的商業(yè)化的研究。
傳統(tǒng)上,提供毫米波通信環(huán)境的天線模塊包括如下的結(jié)構(gòu):集成電路(IC)和天線設(shè)置在板上并且通過同軸電纜彼此連接,以滿足根據(jù)高頻率的高水平天線性能(例如,發(fā)送和接收速率、增益、方向性等)。
然而,這樣的結(jié)構(gòu)可能引起天線布局空間的減小、天線形狀的自由度的限制、天線與IC之間的干擾的增加以及天線模塊的尺寸和成本的增加。
以上信息僅作為背景信息呈現(xiàn)以幫助理解本公開。至于任何上述內(nèi)容是否可適用為關(guān)于本公開的現(xiàn)有技術(shù),尚未做出確定,并且不進行斷言。
發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以通過簡化形式介紹將在下面的具體實施方式中進一步描述的發(fā)明構(gòu)思的選擇。本發(fā)明內(nèi)容既不意在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征,也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
在一個總體方面,一種天線模塊包括連接構(gòu)件、位于所述連接構(gòu)件的第一表面上的集成電路(IC)以及設(shè)置在所述連接構(gòu)件的第二表面上的天線封裝件。所述連接構(gòu)件包括一個或更多個布線層以及一個或更多個絕緣層。所述IC電連接到所述一個或更多個布線層。所述天線封裝件包括第一天線構(gòu)件以及第一饋電過孔,第一天線構(gòu)件被構(gòu)造為在第一方向上發(fā)送和/或接收射頻(RF)信號,所述第一饋電過孔均電連接到所述第一天線構(gòu)件中的對應(yīng)第一天線構(gòu)件并且電連接到所述一個或更多個布線層中的對應(yīng)布線。饋電線電連接到所述一個或更多個布線層中的布線并且在所述第二表面的側(cè)方向上延伸。第二天線構(gòu)件電連接到所述饋電線并被構(gòu)造為在與所述第一方向不同的第二方向上發(fā)送和/或接收RF信號,導(dǎo)向構(gòu)件在遠離所述連接構(gòu)件的中心的所述第二方向上與所述第二天線構(gòu)件分開,并且具有相對于所述第二天線構(gòu)件傾斜設(shè)置的內(nèi)邊界。
在所述內(nèi)邊界處,與所述導(dǎo)向構(gòu)件的中心相比,所述導(dǎo)向構(gòu)件的端部可與所述第二天線構(gòu)件分開較大的距離。
所述第二天線構(gòu)件可具有包括第一極子和第二極子的偶極子形式或折疊偶極子形式。所述導(dǎo)向構(gòu)件可包括與所述第一極子和所述第二極子平行的第一部分、相對于所述第一極子和所述第二極子傾斜的第二部分、與所述第一極子和所述第二極子平行的第三部分、相對于所述第一極子和所述第二極子傾斜的第四部分以及與所述第一極子和所述第二極子平行的第五部分,所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分、所述第四部分和所述第五部分按從所述第一部分至所述第五部分的順序彼此連接。
所述導(dǎo)向構(gòu)件中的所述第二部分的傾斜角度和所述第四部分的傾斜角度可大于或等于5°并且小于或等于14°。
當在所述第二方向上觀看所述第二天線構(gòu)件時,所述導(dǎo)向構(gòu)件可設(shè)置為與所述第一極子和所述第二極子之間的區(qū)域疊置。
所述導(dǎo)向構(gòu)件可比所述第一極子的長度長、比所述第二極子的長度長并且比所述第一極子和所述第二極子的總體長度短。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電機株式會社,未經(jīng)三星電機株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810901516.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





