[發明專利]基于(Inx 有效
| 申請號: | 201810900497.0 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109301022B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 賈仁需;余建剛;元磊;張弘鵬 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L31/09 | 分類號: | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 郝夢玲 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 in base sub | ||
本發明涉及一種基于(InxGa1?x)2O3的雙波段紫外光電器件及其制備方法,所述方法包括:選取襯底;在所述襯底上表面生長(InxGa1?x)2O3材料形成紫外光吸收層;在所述紫外光吸收層的上表面生長Au和In形成叉指電極。所述器件包括襯底層、(InxGa1?x)2O3紫外光吸收層以及叉指電極,其中,所述叉指電極為非對稱結構,包括具有不同指寬的Au電極部分和In電極部分。該基于(InxGa1?x)2O3的雙波段紫外光電器件在高In組份的情況下,(InxGa1?x)2O3會發生相的分離,產生兩個光學帶隙,從而對兩個紫外光譜范圍產生感應,并且具有自供電特性。
技術領域
本發明屬于微電子技術領域,具體涉及一種基于(InxGa1-x)2O3的雙波段紫外光電器件及其制備方法。
背景技術
紫外光是指波長在400nm以下的電磁輻射,太陽光中就含有紫外光,能到達地球表面的主要是近紫外光(300-400nm)。深紫外光(300nm以下)由于大氣層中臭氧的強烈吸收很難到達地球表面,但它卻存在于其它輻射源如電弧、導彈羽煙中。紫外探測器在軍事、醫藥、環境監測等領域都有著廣泛的應用,其中針對特定波段選擇響應的紫外探測器尤為引人注目。由于不受可見光及其它波段紫外光的干擾,這類探測器往往對探測目標具有很高的針對性。
目前,大部分紫外光電探測器只能探測比較單一的光譜響應范圍內的信號,然而,用于光波分復用技術、多光譜測量儀表以及激光警告等都需要能同時檢測多個光譜響應范圍內的光信號,因此發展多光譜響應范圍的紫外光電探測器對未來探測多波段信號具有很重要的意義。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明提供了一種基于 (InxGa1-x)2O3的雙波段紫外光電器件及其制備方法。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現:
本發明的一個方面提供了一種基于(InxGa1-x)2O3的雙波段紫外光電器件的制備方法,所述方法包括:
選取襯底;
在所述襯底上表面生長(InxGa1-x)2O3材料形成紫外光吸收層;
在所述紫外光吸收層的上表面生長Au和In形成叉指電極。
在本發明的一個實施例中,選取襯底,包括:
選取雙面拋光、厚度為200-600μm的c面藍寶石作為襯底。
在本發明的一個實施例中,在所述襯底上表面生長(InxGa1-x)2O3材料形成紫外光吸收層,包括:
利用磁控共濺射法在所述襯底的上表面濺射厚度為300±5nm的 (InxGa1-x)2O3材料形成紫外光吸收層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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