[發明專利]一種不帶間隔層的雙層雙母體結構的白光有機電致發光器件在審
| 申請號: | 201810900336.1 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109256472A | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 陳平;李啊蘇;段羽;歐世峰;程剛 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
| 地址: | 130012 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光層 母體結構 間隔層 摻雜 白光有機電致發光器件 電子傳輸層 空穴傳輸層 陽極 有機電致發光器件 電子傳輸層材料 空穴傳輸層材料 有機發光染料 陰極 傳輸層材料 有機發光層 載流子平衡 白光發射 光譜穩定 母體材料 陰極組成 摻雜劑 高效率 界面勢 中空穴 襯底 激子 減小 母體 傳輸 | ||
1.一種不帶間隔層的雙層雙母體結構的白光有機電致發光器件,包括襯底、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極;其特征在于:
所述的空穴傳輸層與所述的電子傳輸層之間有兩個雙母體有機發光層,兩個發光層總厚度為10-30nm,由有機發光染料以摻雜劑的形式摻雜在雙母體材料中構成,機發光染料的摻雜濃度為0.1 wt%~30wt%;所述的雙母體材料由空穴傳輸層材料和電子傳輸層材料按照比例摻雜完成,靠近陽極的發光層中空穴傳輸層材料摻雜比例大于靠近陰極的發光層中的摻雜比例;發光層選用母體材料的三線態能級需大于該發光層中有機發光染料的三線態能級;
所述的母體材料為TCTA,MCP,CBP,TPBi,BmPyPhB,Tmpypb,9,9'-(2,6-吡啶二基二-3,1-亞苯)雙-9H-咔唑(26DCzPPy),9,9-螺二芴-二苯基氧化膦(SPPO1)或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑](OXD-7);
所述的空穴傳輸層采用空穴遷移率高的有機材料,包括4,4'-環己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-二-9-咔唑基苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺;
所述的電子傳輸層材料為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、三(8-羥基喹啉)鋁或1,3-二(3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯。
2.根據權利要求1所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的有機發光染料為乙酰丙酮酸二(1-苯基異喹啉-C2,N)合銥、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合銥 、乙酰丙酮酸二(2-苯基苯并噻唑-C2,N)合銥、三(2-苯基吡啶-C2,N)合銥或(1-苯基異喹啉)銥或(乙酰丙酮)雙(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)合銥。
3.根據權利要求1或2所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的襯底為剛性襯底或者柔性襯底。
4.根據權利要求3所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的剛性襯底為玻璃或硅,所述的柔性襯底為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸甲脂。
5.根據權利要求1或2所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陽極材料為ITO、FTO、Ag、Au、Cu、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陽極修飾層采用原子層沉積技術制備的Al2O3或氧化鋅鋁。
6.根據權利要求3所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陽極材料為ITO、FTO、Ag、Au、Cu、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陽極修飾層采用原子層沉積技術制備的Al2O3或氧化鋅鋁。
7.根據權利要求4所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陽極材料為ITO、FTO、Ag、Au、Cu、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陽極修飾層采用原子層沉積技術制備的Al2O3或氧化鋅鋁。
8.根據權利要求1或2或4或6或7所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陰極為Al、Ca、Ba、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陰極修飾層采用ALD技術制備的ZnO、TiO2或ZrO2。
9.根據權利要求3所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陰極為Al、Ca、Ba、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陰極修飾層采用ALD技術制備的ZnO、TiO2或ZrO2。
10.根據權利要求5所述的白光有機電致發光器件,其特征還在于:所述的陰極為Al、Ca、Ba、石墨烯或石墨烯復合薄膜;陰極修飾層采用ALD技術制備的ZnO、TiO2或ZrO2。
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