[發(fā)明專利]控制晶片表面特征的橫向氧化的均勻性

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• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN109390213A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設計）人: A·袁
• 申請（專利權(quán)）人: 朗美通運營有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01S5/183
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 張瑞;鄭霞

1.一種方法，包括：

將氧引入包含水平晶片的垂直堆疊的爐中，

其中，所述氧在所述垂直堆疊上方的位置進入所述爐，

其中，包括在所述垂直堆疊中的圖案化晶片包括一個或更多個表面特征，并且

其中，所述一個或更多個表面特征中的表面特征包括能夠被氧化的一個或更多個層；和

基于將所述氧引入所述爐中，引起所述一個或更多個層中的至少一層的橫向氧化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氧在所述垂直堆疊下方的另外的位置離開所述爐。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述橫向氧化期間旋轉(zhuǎn)所述垂直堆疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述橫向氧化形成用于在所述表面特征中進行電限制的孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述橫向氧化形成用于在所述表面特征中進行光學限制的孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面特征是垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述橫向氧化形成用于所述VCSEL中的光學限制或電限制中的至少一個的氧化孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述圖案化晶片的邊緣部分上的表面特征的橫向氧化與所述圖案化晶片的中心部分上的表面特征的橫向氧化基本上是均勻的。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，包括在所述垂直堆疊中的不同晶片上的表面特征的橫向氧化基本上是均勻的。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，位于最接近所述圖案化晶片的中心的第一表面特征的橫向氧化的第一深度與位于最接近所述圖案化晶片的邊緣的第二表面特征的橫向氧化的第二深度基本上相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一深度和所述第二深度之間的差為0.4微米或更小。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，對于所述圖案化晶片上的所有表面特征，所述橫向氧化基本上是均勻的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，對于包括在所述垂直堆疊中的所有晶片的所有表面特征，所述橫向氧化基本上是均勻的。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述爐是豎爐。

15.一種方法，包括：

將氧引入包含多個晶片的爐中，所述多個晶片水平定向并垂直堆疊，相鄰晶片之間具有空間，

其中，所述氧在所述多個晶片上方進入所述爐中，并且

其中，所述多個晶片中的晶片包括在該晶片的中心部分上的第一特征和在該晶片的邊緣部分上的第二特征；和

基于將所述氧引入所述爐中，引起所述第一特征的第一層和所述第二特征的第二層的橫向氧化，

其中，所述第二層對應于所述第一層，并且

其中，所述第一層的橫向氧化的第一深度與所述第二特征的橫向氧化的第二深度基本上相同。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述橫向氧化期間旋轉(zhuǎn)所述多個晶片。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述橫向氧化在所述第一特征中形成用于光學限制和電限制的第一孔，并且在所述第二特征中形成用于光學限制和電限制的第二孔。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述晶片上所有特征上的相應層的橫向氧化的深度基本上是均勻的。