[發(fā)明專利]拋光墊及其制備方法、應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810896688.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110815037B | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱順全;車麗媛;張季平;吳曉茜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北鼎龍控股股份有限公司;湖北鼎匯微電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | B24B37/20 | 分類號(hào): | B24B37/20;B24B37/24;B24B37/26;B24D18/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 430057 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種拋光墊的制備方法,其特征在于,所述拋光墊具有拋光層,所述拋光層具有中心拋光區(qū)、環(huán)繞所述中心拋光區(qū)依次設(shè)置的一個(gè)或一個(gè)以上的中間拋光區(qū)以及環(huán)繞所述中間拋光區(qū)設(shè)置的外緣拋光區(qū),且所述中心拋光區(qū)為圓形,所述中間拋光區(qū)為環(huán)形,所述外緣拋光區(qū)為環(huán)形;所述拋光層的肖氏硬度沿所述中心拋光區(qū)至所述外緣拋光區(qū)的方向依次減小,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)肖氏硬度梯度為0.5-5D;
所述拋光層的原料包括如下質(zhì)量份數(shù)的各組分:100份的異氰酸酯封端的預(yù)聚物、20-25份的固化劑和1.7-2.6份的中空微球體;
所述制備方法使用的模具具有與所述拋光墊的結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)應(yīng)的圓環(huán)側(cè)壁,所述制備方法包括如下步驟:
(1)將能夠制得對(duì)應(yīng)硬度的拋光區(qū)的澆注組合物澆注至模具的最內(nèi)圈圓環(huán)側(cè)壁圍成的內(nèi)腔中,固化,脫模,表面打磨,得圓柱塊體;
(2)將步驟(1)所得的圓柱塊體置于與所述最內(nèi)圈圓環(huán)側(cè)壁相鄰的圓環(huán)側(cè)壁內(nèi),并與所述相鄰的圓環(huán)側(cè)壁形成環(huán)狀內(nèi)腔,再向所述環(huán)狀內(nèi)腔內(nèi)澆注能夠制得對(duì)應(yīng)硬度的拋光區(qū)的澆注組合物,固化,脫模,表面打磨,得圓柱塊體;
(3)以此類推,依次澆注直至最外圈圓環(huán)側(cè)壁與前次固化所得的圓柱塊體之間形成的環(huán)狀內(nèi)腔內(nèi)的澆注組合物完成固化,脫模,表面打磨,即得固化塊體;
(4)將所述固化塊體進(jìn)行切片,即得一體成型拋光墊。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)肖氏硬度梯度為0 .6-3D。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)肖氏硬度梯度為1-3D。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)肖氏硬度梯度為0.6-1.6D。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)肖氏硬度梯度為0.7D、0.8D、0.9D、1D、1.1D、1.2D、1.3D、1.4D或1.5D。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,各拋光區(qū)的肖氏硬度為40-70D;
和/或,所述中心拋光區(qū)的肖氏硬度為60-70D;
和/或,所述外緣拋光區(qū)的肖氏硬度為40-60D。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,各拋光區(qū)的肖氏硬度為58-65D。
8.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述外緣拋光區(qū)的肖氏硬度為57.8-58.6D。
9.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述中心拋光區(qū)的肖氏硬度為60-70D,所述外緣拋光區(qū)的肖氏硬度為57.8-58.6D,相鄰兩個(gè)拋光區(qū)的肖氏硬度梯度為0.6-1.6D。
10.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述中間拋光區(qū)的數(shù)量為4-13個(gè)。
11.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述中間拋光區(qū)的數(shù)量為4-8個(gè)。
12.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述中間拋光區(qū)的數(shù)量為6-8個(gè)。
13.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述拋光墊的直徑為50-90cm。
14.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述拋光墊的直徑為60-100cm。
15.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述拋光墊的直徑為70-85cm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于湖北鼎龍控股股份有限公司;湖北鼎匯微電子材料有限公司,未經(jīng)湖北鼎龍控股股份有限公司;湖北鼎匯微電子材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810896688.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





