[發明專利]一種像素電路、陣列基板、X射線強度檢測裝置和方法

有效

• 申請號: 201810896670.4
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN109061713B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 張淼;傅武霞;孫松梅;張然
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;H01L27/146
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種像素電路，其特征在于，所述像素電路包括第一晶體管、第二晶體管、存儲電容、感光元件、第一控制線、第二控制線、第一數據線和第二數據線；所述第一晶體管和所述第二晶體管均為雙柵晶體管；

所述第一晶體管的底柵極連接所述第一控制線，所述第一晶體管的頂柵極連接所述第二控制線，所述第一晶體管的第一極連接所述存儲電容，所述第一晶體管的第二極連接所述第一數據線；

所述第二晶體管的底柵極連接所述第二控制線，所述第二晶體管的頂柵極連接所述第一控制線，所述第二晶體管的第一極連接所述存儲電容，所述第二晶體管的第二極連接所述第二數據線；

所述存儲電容連接所述感光元件。

2.根據權利要求1所述像素電路，其特征在于，所述雙柵晶體管包括：

底柵極，設置在襯底基板上；

柵絕緣層，設置在所述底柵極上；

有源層，設置在柵絕緣層上，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述底柵極在所述襯底基板上的正投影部分重疊；

鈍化層，設置在所述有源層上；

源漏電極，與所述有源層接觸；

頂柵極，設置在所述鈍化層上，所述頂柵極在所述襯底基板上的正投影與所述底柵極在所述襯底基板上的正投影部分重疊。

3.根據權利要求2所述像素電路，其特征在于，所述雙柵晶體管受所述底柵極控制時形成的溝道電流大于受頂柵極控制時形成的溝道電流。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個如權利要求1-3任一項所述的像素電路；

多個所述像素電路陣列排布；同一行所述像素電路的第一控制線互相連接，同一行所述像素電路的第二控制線互相連接，同一列所述像素電路的第一數據線互相連接，同一列所述像素電路的第二數據線互相連接。

5.一種X射線強度檢測裝置，其特征在于，所述裝置包括檢測芯片和如上述權利要求4所述的陣列基板；所述檢測芯片連接所述陣列基板；

所述陣列基板，用于在X射線的激發下產生并存儲激發電荷，并在所述檢測芯片的控制下釋放所述激發電荷；

所述檢測芯片，用于控制所述陣列基板釋放所述激發電荷，檢測釋放所述激發電荷產生的溝道電流，并根據所述溝道電流確定X射線強度。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述檢測芯片分別連接所述陣列基板中像素電路的第一控制線、第二控制線、第一數據線和第二數據線；

所述檢測芯片，具體用于分別向所述第一控制線和所述第二控制線輸入控制信號，檢測所述第一數據線或所述第二數據線上數據信號，根據所述數據信號確定所述X射線強度。

7.一種X射線強度檢測方法，其特征在于，應用于如權利要求5-6任一項所述的X射線強度檢測裝置，所述方法包括：

陣列基板接受X射線照射，所述陣列基板在所述X射線的激發下產生并存儲激發電荷；

控制所述陣列基板釋放所述激發電荷；

檢測釋放所述激發電荷產生的溝道電流；

根據所述溝道電流確定X射線強度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述控制所述陣列基板釋放所述激發電荷，包括：

奇數幀時向所述陣列基板中像素電路的第一控制線輸入高電平，第二控制線輸入低電平，通過所述像素電路的第一晶體管和第二晶體管釋放所述激發電荷；

偶數幀時向所述第一控制線輸入低電平，所述第二控制線輸入高電平，通過所述第一晶體管和所述第二晶體管釋放所述激發電荷。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述檢測所述激發電荷產生的溝道電流，包括：

在向所述第一控制線輸入高電平，所述第二控制線輸入低電平時，通過所述像素電路中第二數據線檢測所述第二晶體管產生的溝道電流；

在向所述第一控制線輸入低電平，所述第二控制線輸入高電平時，通過所述像素電路中第一數據線檢測所述第一晶體管產生的溝道電流。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述根據所述溝道電流確定X射線強度，包括：

根據檢測到的所述溝道電流確定所述激發電荷的電荷量；

根據所述電荷量與所述X射線強度的對應關系，確定所述X射線強度。