[發(fā)明專利]一種功率器件保護芯片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810895430.2
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN109103179B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 深圳市源新科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京艾皮專利代理有限公司 11777
• 代理人: 楊克

1.一種功率器件保護芯片，其特征在于，包括：

第一導電類型的襯底；

第二導電類型的第一外延層，生長于所述襯底上表面；

第一導電類型的第二外延層，形成于所述第一外延層上表面；

第一溝槽，貫穿所述第二外延層并延伸至所述第一外延層；

交替形成于所述第一溝槽內的第二導電類型的第三外延層以及第一導電類型的第四外延層，所述第三外延層至少為兩個且所述第一溝槽底部的外延層為第三外延層，其中，所述襯底的摻雜濃度高于所述第二外延層的摻雜濃度，所述第二外延層的摻雜濃度與所述第四外延層的摻雜濃度相同，所述第一外延層的摻雜濃度與所述第三外延層的摻雜濃度相同，且所述第一外延層的摻雜濃度和所述第三外延層的摻雜濃度均高于所述第二外延層的摻雜濃度和所述第四外延層的摻雜濃度；

第一介質層，形成于所述第一溝槽側壁；

第二溝槽，貫穿所述襯底以及所述第一外延層并與所述第一溝槽連接；

多晶硅層，形成于所述第二溝槽內且一端與所述第三外延層連接；

第一電極，形成于所述第二外延層的上表面；

第二電極，形成于所述襯底的下表面并分別與所述襯底和所述多晶硅層連接。

2.根據權利要求1所述的功率器件保護芯片，其特征在于，所述第三外延層的數量為兩個，所述第四外延層的數量為一個，所述第四外延層形成于兩個所述第三外延層的中間，與所述第一電極連接的外延層為第三外延層。

3.根據權利要求1所述的功率器件保護芯片，其特征在于，所述第三外延層的數量為兩個，所述第四外延層的數量為兩個，與所述第一電極連接的外延層為第四外延層。

4.一種功率器件保護芯片的制作方法，其包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底上表面生長第二導電類型的第一外延層；

在所述第一外延層上表面形成第一導電類型的第二外延層；

形成貫穿所述第二外延層并延伸至所述第一外延層的第一溝槽；

在所述第一溝槽內交替形成第二導電類型的第三外延層以及第四導電類型的第四外延層，所述第三外延層至少為兩個且所述第一溝槽底部的外延層為第三外延層，其中，所述襯底的摻雜濃度高于所述第二外延層的摻雜濃度，所述第二外延層的摻雜濃度與所述第四外延層的摻雜濃度相同，所述第一外延層的摻雜濃度與所述第三外延層的摻雜濃度相同，且所述第一外延層的摻雜濃度和所述第三外延層的摻雜濃度均高于所述第二外延層的摻雜濃度和所述第四外延層的摻雜濃度；

在所述第一溝槽的側壁形成第一介質層；

形成貫穿所述襯底和所述第一外延層并與所述第一溝槽連接的第二溝槽；

在所述第二溝槽內形成多晶硅層，且所述多晶硅層的一端與所述第三外延層連接；

在所述第二外延層上表面形成第一電極；

在所述襯底的下表面形成與分別與所述襯底和所述多晶硅層連接的第二電極。

5.根據權利要求4所述的一種功率器件保護芯片的制作方法，其特征在于，所述第三外延層的數量為兩個，所述第四外延層的數量為一個，所述第四外延層形成于兩個所述第三外延層的中間，與所述第一電極連接的外延層為第三外延層。

6.根據權利要求4所述的一種功率器件保護芯片的制作方法，其特征在于，所述第三外延層的數量為兩個，所述第四外延層的數量為兩個，與所述第一電極連接的外延層為第四外延層。