[發明專利]提高套刻精度的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201810894929.1
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN110824847B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種提高套刻精度的刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一組合掩膜版，所述組合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，所述第一子掩膜版上形成有第一光掩膜圖形，所述第二子掩膜版上形成有第二光掩膜圖形；對應于所述組合掩膜版的下方放置有基底且所述基底與所述組合掩膜版彼此不接觸，在所述基底上形成待圖案化的材料層，所述材料層從下到上依次包括底掩膜層、中間掩膜層、頂掩膜層及第一光刻膠層，S1步驟包括：將所述第一子掩膜版上形成的所述第一光掩膜圖形曝光顯影至所述第一光刻膠層上，以形成第一光刻膠圖案；

S2：以所述第一光刻膠圖案為掩膜刻蝕所述頂掩膜層，以形成頂掩膜層圖案；

S3：以所述頂掩膜層圖案為掩膜刻蝕所述的中間掩膜層，當所述中間掩膜層的刻蝕厚度達到所述中間掩膜層總厚度的60％以上時，停止刻蝕，以形成多個第一中間掩膜條，所述第一中間掩膜條組合形成第一中間掩膜層圖案，相鄰的所述第一中間掩膜條之間的節距相等；

S4：在所述第一中間掩膜層圖案上從下到上依次沉積形成中間覆蓋層、第一介電抗反射涂層及第二光刻膠層，將所述第二子掩膜版上形成的所述第二光掩膜圖形曝光顯影至所述第二光刻膠層上，以形成第二光刻膠圖案；

S5：以所述第二光刻膠圖案為掩膜刻蝕所述第一介電抗反射涂層，以形成第一介電抗反射涂層圖案；

S6：以所述第一介電抗反射涂層圖案為掩膜刻蝕所述中間覆蓋層，以形成多個中間覆蓋條，所述中間覆蓋條組合形成中間覆蓋層圖案，所述中間覆蓋條排列于所述第一中間掩膜條之間的空隙，相鄰的所述中間覆蓋條之間的節距相等；

S7：以所述第一中間掩膜層圖案和所述中間覆蓋層圖案為掩膜刻蝕剩余的所述中間掩膜層，以使所述中間掩膜層形成為中間掩膜層總圖案，所述中間掩膜層總圖案由所述第一中間掩膜條和多個第二中間掩膜條組成，所述第二中間掩膜條由所述中間覆蓋層圖案轉置而形成，所述第一中間掩膜條穿插排列于所述第二中間掩膜條中，使所述第一中間掩膜條和所述第二中間掩膜條包括不相連接的并行線條部；并且所述第一中間掩膜條和所述第二中間掩膜條形成在同一結構層中；

S8：將所述中間掩膜層總圖案轉印至所述底掩膜層中，以形成多對準標記整合圖案。

2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，相鄰的所述第一中間掩膜條的節距介于6微米～7微米。

3.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，相鄰的所述中間覆蓋條的節距介于6微米～7微米。

4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述中間覆蓋條與相鄰的所述第一中間掩膜條之間節距介于3微米～3?.5微米。

5.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一中間掩膜條和相鄰的所述第二中間掩膜條之間的節距介于3微米～3?.5微米。

6.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述底掩膜層包括氧化物層，所述中間掩膜層包括中間介電抗反射涂層，所述頂掩膜層包括頂碳層和頂介電抗反射涂層。

7.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在所述底掩膜層和所述中間掩膜層之間還沉積形成第一碳層。

8.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，在步驟S8之前還包括：以所述中間掩膜層總圖案為掩膜刻蝕所述第一碳層，以形成第一碳層圖案。

9.根據權利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟S2包括以所述第一光刻膠圖案為掩膜刻蝕所述頂介電抗反射涂層，以形成頂介電抗反射涂層圖案。

10.根據權利要求9所述的刻蝕方法，其特征在于，步驟S2還包括以所述頂介電抗反射涂層圖案為掩膜刻蝕所述頂碳層，以形成頂掩膜層圖案。