[發(fā)明專利]用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810890770.6 | 申請日: | 2018-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN108956574A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 呂昌貴;祁正青;朱成軍;鐘嫄;崔一平 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/64 | 分類號: | G01N21/64;G01N21/01 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 共振結(jié)構(gòu) 雙光子熒光 光學(xué)透明介質(zhì) 金屬薄膜層 結(jié)構(gòu)參數(shù) 納米金屬 圓盤陣列 薄膜層 雙波長 納米壓印工藝 制備方法工藝 金屬 發(fā)射效率 激發(fā)效率 目標(biāo)波長 薄膜蒸 傳統(tǒng)的 多維度 可調(diào)的 光場 匹配 應(yīng)用 | ||
1.一種用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu),其特征在于:該結(jié)構(gòu)從下而上依次包括絕緣襯底(1)、金屬薄膜(2)、光學(xué)透明介質(zhì)薄膜(3)和納米金屬圓盤陣列(4),該納米金屬圓盤陣列(4)按設(shè)計要求排列。
2.一種如權(quán)利要求1所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
S1.在絕緣襯底(1)上蒸鍍金屬薄膜(2);
S2.在金屬薄膜(2)上蒸鍍光學(xué)透明介質(zhì)膜(3);
S3.在光學(xué)透明介質(zhì)膜(3)上通過旋涂的方法涂覆一層有機薄膜;
S4.使用制備好的模板在有機薄膜上進(jìn)行壓印,??坛鲋鶎ΨQ圓盤陣列孔結(jié)構(gòu);
S5.在柱對稱圓盤陣列孔結(jié)構(gòu)上蒸鍍金屬;
S6.蒸鍍完成后采用有機溶液清洗去除有機薄膜,保留下柱對稱納米金屬圓盤陣列(4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述絕緣襯底(1)為玻璃襯底或石英襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述金屬膜(2)為金膜或銀膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述金屬薄膜(2)的厚度大于100納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述光學(xué)透明介質(zhì)膜(3)為SiO2膜或MgF2膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于雙光子熒光增強的雙波長金屬Fano共振結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述柱對稱金屬圓盤陣列(4)中圓盤的直徑為納米量級。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





