[發(fā)明專利]端口驅(qū)動(dòng)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810886346.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108988839A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅紅飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州展虹科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/567 | 分類號(hào)： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 端口驅(qū)動(dòng) 電路 二極管 減小 芯片 | ||
本發(fā)明公開了一種端口驅(qū)動(dòng)電路。端口驅(qū)動(dòng)電路包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管、第三電阻、第四電阻、第二NMOS管和二極管。利用本發(fā)明可以減小所占芯片面積。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)，尤其涉及到端口驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)的輸入輸出端口都是獨(dú)立的，占用芯片面積，為了減少芯片面積設(shè)計(jì)了輸入輸出端口能夠復(fù)用的端口驅(qū)動(dòng)電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種輸入輸出端口能夠復(fù)用的端口驅(qū)動(dòng)電路。
端口驅(qū)動(dòng)電路，包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管、第三電阻、第四電阻、第二NMOS管和二極管：
所述第一電阻的一端接輸入端A，另一地接所述第一NMOS管的柵極和所述第二電阻的一端；所述第二電阻的一端接所述第一NMOS管的柵極和所述第一電阻的一端和所述二極管的N極，另一端接地；所述第一NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，漏極接所述第三電阻的一端和所述第二NMOS管的柵極，源極接地；所述第三電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極；所述第四電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第二NMOS管的漏極和所述二極管的P極并作為輸入輸出端口INOUT；所述第二NMOS管的柵極接所述第三電阻的一端和所述第一NMOS管的漏極，漏極接所述第四電阻的一端和所述二極管的P極并作為輸入輸出端INOUT，源極接地；所述二極管的P極接所述第四電阻的一端和所述第二NMOS管的漏極和輸入輸出端INOUT，N極接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端和所述第一NMOS管的柵極。
當(dāng)A端是高電平時(shí)，所述第一NMOS管導(dǎo)通，所述第二NMOS管的柵極被拉低，此時(shí)輸入輸出端INOUT為高電平；當(dāng)A端是低電平時(shí)，所述第一NMOS管不導(dǎo)通，所述第二NMOS管的柵極被拉高而導(dǎo)通，此時(shí)輸入輸出端INOUT為低電平；這樣輸入輸出端INOUT作為輸出端來應(yīng)用。由于所述二極管具有單向?qū)щ姡挥袕妮斎胼敵龆薎NOUT向A端輸入，此時(shí)輸入輸出INOUT又作為輸入端來應(yīng)用。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的端口驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)一步說明。
端口驅(qū)動(dòng)電路，如圖1所示，包括第一電阻101、第二電阻102、第一NMOS管103、第三電阻104、第四電阻105、第二NMOS管106和二極管107：
所述第一電阻101的一端接輸入端A，另一地接所述第一NMOS管103的柵極和所述第二電阻102的一端；所述第二電阻102的一端接所述第一NMOS管103的柵極和所述第一電阻101的一端和所述二極管107的N極，另一端接地；所述第一NMOS管103的柵極接所述第一電阻101的一端和所述第二電阻102的一端，漏極接所述第三電阻104的一端和所述第二NMOS管106的柵極，源極接地；所述第三電阻104的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管103的漏極和所述第二NMOS管106的柵極；所述第四電阻105的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第二NMOS管106的漏極和所述二極管107的P極并作為輸入輸出端口INOUT；所述第二NMOS管106的柵極接所述第三電阻104的一端和所述第一NMOS管103的漏極，漏極接所述第四電阻105的一端和所述二極管107的P極并作為輸入輸出端INOUT，源極接地；所述二極管107的P極接所述第四電阻105的一端和所述第二NMOS管106的漏極和輸入輸出端INOUT，N極接所述第一電阻101的一端和所述第二電阻102的一端和所述第一NMOS管103的柵極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州展虹科技有限公司，未經(jīng)杭州展虹科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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